通過分析國(guó)內(nèi)外校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件物理邊界條件,研究不同校準(zhǔn)基底的物理邊界條件對(duì)共面波導(dǎo)（CPW）傳輸線特性和校準(zhǔn)準(zhǔn)確度的影響。研制了W波段砷化鎵襯底的多線TRL在片校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件,將在片校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件分別放置在金屬卡盤、玻璃片、吸波材料三種校準(zhǔn)基底上。用三種不同校準(zhǔn)基底的校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件對(duì)試驗(yàn)裝置校準(zhǔn)后,分別提取了CPW傳輸線的衰減常數(shù)、相對(duì)介電常數(shù)和特征阻抗,并對(duì)商用校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件104-783A的短路標(biāo)準(zhǔn)和傳輸線標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了測(cè)試,驗(yàn)證了結(jié)果的合理性。 

【文章來源】：宇航計(jì)測(cè)技術(shù). 2020,40(03)CSCD

【文章頁數(shù)】：5 頁

【部分圖文】：

多線TRL校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件放在金屬卡盤上示意圖

圖2中，將研制的校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件在金屬卡盤之間放置厚度為500μm的透明玻璃片，用準(zhǔn)確度更高的多線TRL方法進(jìn)行校準(zhǔn)和測(cè)試。圖3中，將研制的校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件在金屬卡盤之間放置厚度為500μm的吸波材料，用準(zhǔn)確度更高的多線TRL方法進(jìn)行校準(zhǔn)和測(cè)試。

圖3中，將研制的校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件在金屬卡盤之間放置厚度為500μm的吸波材料，用準(zhǔn)確度更高的多線TRL方法進(jìn)行校準(zhǔn)和測(cè)試。根據(jù)上述分析，研究的三種校準(zhǔn)基底的校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件臨界頻率會(huì)存在差異，因此，校準(zhǔn)和測(cè)試結(jié)果也會(huì)不同，將通過試驗(yàn)進(jìn)行驗(yàn)證分析，得到最佳校準(zhǔn)和測(cè)試效果下的校準(zhǔn)基底。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]在片Multi-TRL校準(zhǔn)技術(shù)研究[J]. 王一幫,欒鵬,孫靜,劉晨,吳愛華,梁法國(guó).  中國(guó)測(cè)試. 2018(04)
[2]基于Multi-TRL算法的傳輸線特征阻抗定標(biāo)[J]. 王一幫,欒鵬,吳愛華,梁法國(guó),孫靜.  計(jì)量學(xué)報(bào). 2017(02)



本文編號(hào)：3600786