近年來,隨著電子對(duì)抗技術(shù)不斷發(fā)展,電磁干擾環(huán)境變得越來越復(fù)雜化和多樣化,為雷達(dá)導(dǎo)引頭的發(fā)展帶來了新的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。陣列雷達(dá)導(dǎo)引頭以其靈活的波束控制、較強(qiáng)的抗干擾及自適應(yīng)能力等優(yōu)越的性能,成為當(dāng)前精確制導(dǎo)雷達(dá)導(dǎo)引頭的熱點(diǎn)研究方向。當(dāng)彈載陣列雷達(dá)面臨旁瓣干擾時(shí),一般采用子陣級(jí)自適應(yīng)波束形成技術(shù)對(duì)干擾進(jìn)行抑制,但是該技術(shù)往往會(huì)造成和差波束方向圖畸變,從而導(dǎo)致彈載陣列雷達(dá)的測(cè)角性能下降;面臨主瓣干擾時(shí),利用子陣級(jí)四通道主瓣干擾抑制技術(shù)可以很好地對(duì)消掉主瓣干擾,但是該技術(shù)只適用于矩形陣面模型,將其應(yīng)用于彈載陣列雷達(dá)的非矩形陣面時(shí),會(huì)因?yàn)樽赃m應(yīng)單脈沖比與靜態(tài)單脈沖比不一致而導(dǎo)致測(cè)角精度下降。針對(duì)上述問題,本文開展了基于彈載陣列雷達(dá)的自適應(yīng)波束形成技術(shù)研究。首先介紹了數(shù)字波束形成技術(shù)與和差波束測(cè)角技術(shù),然后著重分析了子陣級(jí)波束形成技術(shù),并根據(jù)常用的子陣劃分規(guī)則,針對(duì)一種彈載陣列雷達(dá)非矩形面陣模型提出兩種不同的子陣劃分方案,并通過仿真對(duì)上述兩種不同劃分模式下的性能進(jìn)行了分析對(duì)比。其次針對(duì)彈載陣列雷達(dá)面臨旁瓣干擾時(shí),應(yīng)用子陣級(jí)自適應(yīng)單脈沖技術(shù)會(huì)造成測(cè)角性能下降的問題,采用了子陣級(jí)約束自適應(yīng)單脈沖技術(shù),該方... 

【文章來源】：西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：102 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

“戰(zhàn)斧”BlockIV導(dǎo)彈配置的多模導(dǎo)引頭

圖 1.3 K-77M 導(dǎo)彈配置的 64 單元有源相控陣?yán)走_(dá)軍事強(qiáng)國之后，日本也于 2012 年開始將空空導(dǎo)彈 AAM-4如下圖 1.4 所示，該導(dǎo)彈的陣列雷達(dá)導(dǎo)引頭采用 Ka 波段離和抗干擾能力，而且對(duì)目標(biāo)的準(zhǔn)確跟蹤、打擊能力得到圖 1.4 日本 AAM-4B 空空導(dǎo)彈領(lǐng)域的研究雖起步較晚，但也已經(jīng)獲得了許多有價(jià)值的成段，國內(nèi)的相關(guān)軍工單位已經(jīng)對(duì)相關(guān)技術(shù)進(jìn)行了前瞻性的研

線總發(fā)射功率可以達(dá)到 1000W 以上[11]；此外，有源相控陣?yán)走_(dá)如下圖 1.3 所示，該有源相控，并且已于 2015 年 2 月進(jìn)入量產(chǎn)階段。圖 1.3 K-77M 導(dǎo)彈配置的 64 單元有源相控陣?yán)走_(dá)強(qiáng)國之后，日本也于 2012 年開始將空空導(dǎo)彈 A圖 1.4 所示，該導(dǎo)彈的陣列雷達(dá)導(dǎo)引頭采用 Ka抗干擾能力，而且對(duì)目標(biāo)的準(zhǔn)確跟蹤、打擊能力


本文編號(hào)：2897033