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    MOS電阻陣下紅外誘餌模擬仿真

    發(fā)布時(shí)間:2018-09-08 12:25
    【摘要】:為了能達(dá)到驗(yàn)證紅外制導(dǎo)導(dǎo)彈對(duì)抗紅外誘餌性能的目的,需要在半實(shí)物仿真過程中逼真地模擬紅外誘餌在實(shí)際紅外對(duì)抗場(chǎng)景中的能量變化和運(yùn)動(dòng)形式,即紅外誘餌被投放后輻射變化以及其與目標(biāo)的分離形式,為此利用MOS電阻陣進(jìn)行紅外誘餌模擬仿真研究,F(xiàn)有國(guó)產(chǎn)MOS電阻陣不小于200 Hz的刷新頻率,不小于300℃的等效黑體溫度能很好地復(fù)現(xiàn)紅外誘餌燃燒時(shí)劇烈的能量變化,同時(shí)通過紅外誘餌建模理論建立基礎(chǔ)仿真運(yùn)動(dòng)模型,并且基于外場(chǎng)采集數(shù)據(jù)對(duì)所建立的紅外誘餌運(yùn)動(dòng)模型進(jìn)行修正,主要是對(duì)紅外誘餌運(yùn)動(dòng)軌跡進(jìn)行修正。最后,采用MOS電阻陣動(dòng)態(tài)紅外場(chǎng)景渲染和驅(qū)動(dòng)軟件完成紅外誘餌的模擬。
    [Abstract]:In order to verify the performance of infrared guided missile against infrared decoy, it is necessary to simulate the energy change and movement form of infrared decoy in the actual infrared countermeasure scene in the process of Hardware-in-the-loop simulation, that is, the radiation change of infrared decoy and the separation form of infrared decoy from the target after it is put into operation. The simulation of infrared decoy is studied.The refresh frequency of MOS resistor array is not less than 200 Hz and the equivalent blackbody temperature is not less than 300 ~C. The external decoy motion model is modified mainly by modifying the infrared decoy trajectory. Finally, the infrared decoy is simulated by MOS resistor array dynamic infrared scene rendering and driving software.
    【作者單位】: 上海航天控制技術(shù)研究所;上海機(jī)電工程研究所;上海航天技術(shù)研究院;
    【基金】:國(guó)家安全重大基礎(chǔ)研究項(xiàng)目(613271010204)
    【分類號(hào)】:TN976

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    本文編號(hào):2230513

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