MOS電阻陣下紅外誘餌模擬仿真
[Abstract]:In order to verify the performance of infrared guided missile against infrared decoy, it is necessary to simulate the energy change and movement form of infrared decoy in the actual infrared countermeasure scene in the process of Hardware-in-the-loop simulation, that is, the radiation change of infrared decoy and the separation form of infrared decoy from the target after it is put into operation. The simulation of infrared decoy is studied.The refresh frequency of MOS resistor array is not less than 200 Hz and the equivalent blackbody temperature is not less than 300 ~C. The external decoy motion model is modified mainly by modifying the infrared decoy trajectory. Finally, the infrared decoy is simulated by MOS resistor array dynamic infrared scene rendering and driving software.
【作者單位】: 上海航天控制技術(shù)研究所;上海機(jī)電工程研究所;上海航天技術(shù)研究院;
【基金】:國(guó)家安全重大基礎(chǔ)研究項(xiàng)目(613271010204)
【分類號(hào)】:TN976
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,本文編號(hào):2230513
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