基于SOI的二維光子晶體平板波導的研究
本文關(guān)鍵詞:14xx nm喇曼光纖激光器研究,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
《清華大學》 2004年
基于SOI的二維光子晶體平板波導的研究
解靈運
【摘要】:光子晶體是一種介電常數(shù)成周期分布的介質(zhì)材料,周期為光波長量級。在光子晶體材料中存在著特殊的頻帶,在這些頻帶中光波被禁止傳播。如果在光子晶體中引入缺陷,則在禁帶中會存在缺陷態(tài),使得與該缺陷態(tài)相對應的波長的光子在其中可以存在和傳播,利用這種特性可以設(shè)計出微米-毫米量級尺寸的光波導器件,具有很多傳統(tǒng)波導所無法比擬的優(yōu)點。 本論文從光子帶隙理論和制作工藝兩個方面對基于SOI、帶隙中心位于1550nm的光子晶體帶隙材料及光子晶體波導器件進行了深入的研究。 理論上采用平面波展開法(PWE)和基于完美匹配層(PML)邊界條件的時域有限差分法(FDTD)相結(jié)合的技術(shù),對二維光子晶體平板波導的帶隙結(jié)構(gòu)及光波傳輸進行了仿真,設(shè)計了多種適合于0.18 m標準硅工藝的光子晶體波導器件,包括直線形波導、60°彎折波導、90°彎折波導、T形波導、Y形波導、光子諧振腔、Mach-Zehnder形波導等數(shù)種光子晶體波導結(jié)構(gòu)。并對結(jié)構(gòu)參數(shù)進行了優(yōu)化,得到較好的傳輸結(jié)果。此外還將快速傅立葉變換法和Pade近似法相結(jié)合給出了諧振腔的品質(zhì)因數(shù)Q的計算方法,通過品質(zhì)因數(shù)研究了波長上下復用器件的設(shè)計。 在理論設(shè)計的基礎(chǔ)上,對工藝制作進行了深入的摸索。通過深紫外(DUV)曝光法和電子束(EB)曝光法分別對SOI進行曝光處理,并通過化學輔助離子束刻蝕(CAIBE)技術(shù)和電感耦合等離子體刻蝕(ICP)技術(shù)刻蝕了硅和SOI晶片,得到二維光子晶體平板波導樣品。對該工藝過程各步驟進行了詳細的研究,探詢適合光子晶體波導的制作條件。利用掃描電子顯微鏡和原子力顯微鏡觀察樣品,對樣品的細微結(jié)構(gòu)進行了全面的分析,給出了樣品的三維圖片。初步搭建測試系統(tǒng)進行測試研究,并腐蝕制作了耦合信號光使用的光纖透鏡。 本論文對基于SOI的二維光子晶體平板波導在理論和工藝兩方面做了開創(chuàng)性的探索研究,為后續(xù)光子晶體集成系統(tǒng)的研究打下良好的基礎(chǔ)。
【關(guān)鍵詞】:
【學位授予單位】:清華大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2004
【分類號】:TN204
【目錄】:
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本文編號:108634
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