采用時(shí)間分辨圓偏振光抽運(yùn)-探測(cè)光譜,測(cè)量了(110)晶向生長(zhǎng)的近似對(duì)稱和完全非對(duì)稱摻雜GaAs/AlGaAs量子阱中的電子自旋弛豫,發(fā)現(xiàn)兩種量子阱材料中的電子自旋弛豫時(shí)間隨載流子濃度的增大均呈現(xiàn)出先增大后減小的趨勢(shì),且近似對(duì)稱摻雜GaAs量子阱中的電子自旋弛豫時(shí)間明顯大于完全非對(duì)稱摻雜量子阱.分析表明,在(110)晶向生長(zhǎng)的GaAs量子阱中并非只有通常認(rèn)為的Bir-Aronov-Pikus(BAP)機(jī)理起作用,在低載流子濃度區(qū)域,兩種量子阱中D′yakonov-Perel′(DP)機(jī)理起主導(dǎo)作用,高載流子濃度區(qū)域BAP機(jī)理和DP機(jī)理都起作用,完全非對(duì)稱摻雜的量子阱中DP機(jī)理強(qiáng)于近似對(duì)稱摻雜量子阱.

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)


本文編號(hào)：4043980