<正>垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,VCSEL)不同于其他普通光源,它具有較小的圓心光斑輸出,單顆器件尺寸僅在立方微米級(jí)別,還可以利用半導(dǎo)體工藝進(jìn)行大規(guī)模的生產(chǎn),所以其價(jià)格十分低廉、激發(fā)的電流低、且易于集成大面積陣列。其廣泛應(yīng)用于激光通信、激光存儲(chǔ)、激光打印等領(lǐng)域。目前,Ga As基的VCSEL器件在國內(nèi)的研究已經(jīng)比較成熟,且已產(chǎn)業(yè)化,而Ga N基的VCSEL器件的研究尚未成熟。Ga N基VCSEL器件制備當(dāng)前面臨的難題是三個(gè)中心波長的對準(zhǔn)問題,即分布式布拉格反射鏡(DBR)構(gòu)成的諧振腔決定的諧振波長,腔的光學(xué)長度決定的諧振波長,有源區(qū)的發(fā)光波長的一致性問題。

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