發(fā)布時(shí)間：2022-06-03 22:11

　　為了研究離子束拋光KDP晶體工藝參數(shù)對(duì)表面粗糙度的影響,實(shí)現(xiàn)對(duì)KDP晶體的拋光,文中使用微波離子源對(duì)KDP晶體進(jìn)行拋光加工,采用非接觸式表面輪廓儀對(duì)拋光后晶體的表面粗糙度進(jìn)行測量。基于離子束濺射模型分析離子束水平入射角對(duì)拋光結(jié)果的影響,并結(jié)合實(shí)驗(yàn)進(jìn)行驗(yàn)證;通過實(shí)驗(yàn)研究離子束入射能量、氬氣流量和拋光時(shí)間對(duì)拋光結(jié)果的影響;根據(jù)工藝參數(shù)對(duì)拋光結(jié)果的影響特性設(shè)計(jì)正交實(shí)驗(yàn),探索離子束刻蝕拋光KDP晶體最優(yōu)工藝。研究結(jié)果表明:拋光后的晶體表面粗糙度隨著離子束水平入射角的增大而降低;對(duì)于入射離子束能量,拋光后的晶體表面粗糙度在200～400 eV范圍內(nèi)有下降趨勢,其中在400 eV出現(xiàn)最小值,當(dāng)入射能量進(jìn)一步提高時(shí),表面粗糙度將逐漸變大。對(duì)于氬氣流量,在氬氣流量為20～30 sccm范圍內(nèi)出現(xiàn)粗糙度最小值,隨著氬氣流量進(jìn)一步增大,粗糙度變大。對(duì)于加工時(shí)間,拋光時(shí)間由22 min增大到44 min時(shí),表面粗糙度有所降低,隨著加工時(shí)間繼續(xù)增大,粗糙度變大,表面朝惡化趨勢發(fā)展;離子束拋光KDP晶體最佳工藝參數(shù)為:離子束壓400 eV,氬氣流量25 sccm、拋光時(shí)間44 min,將尺寸為50 mm×50 ... 

【文章頁數(shù)】：9 頁

【文章目錄】：
1 實(shí)驗(yàn)設(shè)備及方法
    1.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)備及樣品
    1.2 實(shí)驗(yàn)方法
    1.3 測量設(shè)備及結(jié)果的表征
2 離子束拋光KDP晶體理論模型
3 結(jié)果與討論
    3.1 離子束水平入射角對(duì)拋光結(jié)果的影響
    3.2 入射能量對(duì)KDP晶體表面粗糙度的影響
    3.3 氬氣流量對(duì)KDP晶體表面粗糙度的影響
    3.4 拋光時(shí)間對(duì)KDP晶體表面粗糙度的影響
4 離子束拋光KDP晶體最優(yōu)參數(shù)獲取
5 結(jié) 論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]離子束加工KDP晶體材料表面粗糙度演變[J]. 馮殊瑞,解旭輝,周林,袁征.  航空精密制造技術(shù). 2012(06)
[2]激光核聚變光學(xué)元件超精密加工技術(shù)的研究[J]. 楊福興.  光學(xué)技術(shù). 2003(06)

博士論文
[1]KDP晶體離子束拋光理論與工藝研究[D]. 袁征.國防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2013

碩士論文
[1]大口徑光學(xué)元件離子束沉積修正拋光工藝研究[D]. 王泉.西安工業(yè)大學(xué) 2018
[2]KDP晶體離子束清洗工藝技術(shù)研究[D]. 鄧鴻飛.國防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2015
[3]KDP晶體微納表層缺陷對(duì)其激光損傷閾值影響的研究[D]. 劉新艷.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2007



本文編號(hào)：3653568