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基于Ads模型下雙光子到贗標介子對的散射截面研究

發(fā)布時間:2022-01-27 04:30
  從建立量子色動力學(Quantum chromodynamics,QCD)的理論以來,許許多多的物理學家在量子色動力學的框架下對雙光子遍舉過程(exclusive processes)做了非常多理論上的預測和實際的驗證工作。隨著研究的深入和科技的進步,雙光子遍舉過程在實驗上已經(jīng)測量和收集了越來越多的數(shù)據(jù),這就為進一步研究量子色動力學理論對雙光子遍舉過程提供詳實可靠的參考依據(jù)。因為雙光子遍舉過程的初態(tài)光子不參加強相互作用,僅僅需要考慮末態(tài)的強子態(tài),是很干凈的研究強子態(tài)性質的過程,所以吸引著許多理論研究者和實驗工作者對此過程進行更深入的研究。在pQCD因子化框架下很多人也對此過程做了許多的研究,散射振幅可以用可微擾計算的硬散射振幅和非微擾計算的強子波函數(shù)的卷積形式來表示,但得到的結果與實驗值還是存在很多的爭議,特別是在實驗所測量的低能區(qū)1GeV-4GeV的范圍,實驗上測到的雙光子到贗標介子對散射截面數(shù)據(jù),要遠高于理論上給出的預言值。我們希望通過分析相關的實驗數(shù)據(jù)和進一步的理論計算,使雙光子到贗標介子對過程的散射截面在低能區(qū)也與實驗值相符合。本文是基于pQCD因子化框架下,計算了雙光子到贗標... 

【文章來源】:西南大學重慶市211工程院校教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:60 頁

【學位級別】:碩士

【部分圖文】:

基于Ads模型下雙光子到贗標介子對的散射截面研究


MM散射過程領頭階費曼圖貢獻


本文編號:3611762

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