200 GeV質(zhì)子—質(zhì)子碰撞中非光電子產(chǎn)生的實(shí)驗(yàn)研究
發(fā)布時(shí)間:2022-01-19 21:52
相對論重離子碰撞實(shí)驗(yàn)的一個(gè)主要目的就是研究在高溫和高能量密度的極端條件下,可能產(chǎn)生的夸克解禁閉的新的量子色動(dòng)力學(xué)(Quantum chromodynamics,簡稱QCD)物質(zhì)形態(tài)—夸克膠子等離子體(Quark-Gluon Plasma,簡稱QGP),及其物理性質(zhì)。坐落于美國布魯克海文國家實(shí)驗(yàn)室(Brookhaven National Laboratory,簡稱BNL)的相對論重離子對撞機(jī)(Relativistic Heavy Ion Collider,簡稱RHIC)和位于歐洲核子研究中心(簡稱CERN)的大型強(qiáng)子對撞機(jī)(Large Hadron Collider,簡稱LHC)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,通過相對論性重離子碰撞可能產(chǎn)生新的物質(zhì)形態(tài)。RHIC自2000年運(yùn)行以來,在高能重離子碰撞中發(fā)現(xiàn)了大量QGP存在的實(shí)驗(yàn)證據(jù),比如“噴注淬火”現(xiàn)象、橢圓流的組分夸克標(biāo)度性等等。這些實(shí)驗(yàn)結(jié)果說明在RHIC能區(qū)金核-金核碰撞已經(jīng)形成了強(qiáng)耦合的夸克膠子等離子體(strong-coupled Quark-Gluon Plasma,簡稱sQGP)。因?yàn)榭淇撕湍z子帶有色荷,它們會(huì)禁閉在強(qiáng)子內(nèi)部,也即色禁閉,因此...
【文章來源】:華中師范大學(xué)湖北省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:80 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
在重離子碰撞中不同狀態(tài)的演化
重味夸克通過初始硬散射產(chǎn)生。因此,微擾QCD[13]可以很好地計(jì)算重夸??克產(chǎn)生。在質(zhì)子-質(zhì)子碰撞中重味產(chǎn)生的高精度測量,是檢測重夸克產(chǎn)生的微擾QCD??計(jì)算有效性的工具。圖1.3展示了在200GeV質(zhì)心系能量下質(zhì)子-質(zhì)子碰撞中粲夸克??產(chǎn)生截面與橫動(dòng)量pT的分布。其中黑三角代表DG,黑點(diǎn)代表ZT。通過各自的分支比??0.565土0.032?(c?—?DQ)和0.224±0.028?(c—iT)約化獲得粲夸克產(chǎn)額。該分支比來??自CLEO和BELLE實(shí)驗(yàn)的測量。紅色實(shí)線是測量數(shù)據(jù)點(diǎn)的冪律擬合。藍(lán)色虛線是??FONLL微擾QCD計(jì)算的上下邊界。STAR的結(jié)果和基于微擾QCD的FONLL計(jì)算??的上邊界一致。并且重味夸克偶素的研究以及與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)計(jì)算的對比可以很好地測??試非微擾QCD計(jì)算。??'?I?*?I?*?I?J?1?1?i?'?1??”?1?.?p+p?200?GeV?A?D°?/?0.555?-??I*???DV?0.224?-??¥?*??〇%????|?10*?-?fonll?_??旦?_、??power*?law?fit??10#牐???二??*?.?I?.?{?,?I?.?}?.???.?>? ̄??0?1?2?3?4?5?6??(GeV/c)??圖1.3?200?GeV質(zhì)子質(zhì)子對撞的粲夸克產(chǎn)生,并和FONLL計(jì)算對比。??在實(shí)驗(yàn)上,存在兩種開重味產(chǎn)生的相關(guān)研究方法:強(qiáng)子衰變道的直接強(qiáng)子不變??質(zhì)量重建和來自半輕子衰變道的單輕子[14]。因?yàn)樵冢遥龋桑媚軈^(qū)下,重味的產(chǎn)生截??面比輕味強(qiáng)子低
圖1.4?STAR實(shí)驗(yàn)200?GeV質(zhì)心系能量下質(zhì)子-質(zhì)子對撞中來自非光電子的產(chǎn)??生截面,曲線來自F0NLL計(jì)算,底部展示了數(shù)據(jù)和FONLL計(jì)算的比率。??圖1.4描述了?200?GeV質(zhì)子-質(zhì)子碰撞系統(tǒng)中,基于STARRun2005和Run2008??的數(shù)據(jù),非光電子不變質(zhì)量作為pT的函數(shù)。黑色曲線是FONLL計(jì)算[17],底部的圖??展示了數(shù)據(jù)與F0NLL計(jì)算的比率,FONLL在它的理論誤差范圍內(nèi)可以很好地描述??STAR測量。??圖1.5描述了在PHENIX實(shí)驗(yàn)200?GeV質(zhì)子-質(zhì)子碰撞測量的非光電子產(chǎn)生結(jié)??果。該結(jié)果已和FONLL微擾QCD計(jì)算[18]做對比。在數(shù)據(jù)誤差范圍內(nèi),該測量和??FONLL計(jì)算的中心值一致。該計(jì)算展示了在pT高于4GeV/c的情況下,粲強(qiáng)子和底??強(qiáng)子分別衰變到電子的貢獻(xiàn),并且底強(qiáng)子衰變電子的貢獻(xiàn)比粲強(qiáng)子的貢獻(xiàn)大[19]。??圖1.6顯示了來自STAR實(shí)驗(yàn)測量的200?GeV質(zhì)心系能量下d+Au和Au+Au碰??撞中非光電子的核修正因子并且與理論模型計(jì)算[20]相比較。其中帶有初始膠??子密度^=1000的硬散射的DGLV輻射能損模型計(jì)算,與實(shí)驗(yàn)測量到的輕夸克壓??dy??低一致。而BAMPS輻射能損模型[21]是通過多次軟碰撞來研宄的,與實(shí)驗(yàn)測量到??的輕夸克壓低也一致。??4??
本文編號:3597623
【文章來源】:華中師范大學(xué)湖北省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:80 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
在重離子碰撞中不同狀態(tài)的演化
重味夸克通過初始硬散射產(chǎn)生。因此,微擾QCD[13]可以很好地計(jì)算重夸??克產(chǎn)生。在質(zhì)子-質(zhì)子碰撞中重味產(chǎn)生的高精度測量,是檢測重夸克產(chǎn)生的微擾QCD??計(jì)算有效性的工具。圖1.3展示了在200GeV質(zhì)心系能量下質(zhì)子-質(zhì)子碰撞中粲夸克??產(chǎn)生截面與橫動(dòng)量pT的分布。其中黑三角代表DG,黑點(diǎn)代表ZT。通過各自的分支比??0.565土0.032?(c?—?DQ)和0.224±0.028?(c—iT)約化獲得粲夸克產(chǎn)額。該分支比來??自CLEO和BELLE實(shí)驗(yàn)的測量。紅色實(shí)線是測量數(shù)據(jù)點(diǎn)的冪律擬合。藍(lán)色虛線是??FONLL微擾QCD計(jì)算的上下邊界。STAR的結(jié)果和基于微擾QCD的FONLL計(jì)算??的上邊界一致。并且重味夸克偶素的研究以及與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)計(jì)算的對比可以很好地測??試非微擾QCD計(jì)算。??'?I?*?I?*?I?J?1?1?i?'?1??”?1?.?p+p?200?GeV?A?D°?/?0.555?-??I*???DV?0.224?-??¥?*??〇%????|?10*?-?fonll?_??旦?_、??power*?law?fit??10#牐???二??*?.?I?.?{?,?I?.?}?.???.?>? ̄??0?1?2?3?4?5?6??(GeV/c)??圖1.3?200?GeV質(zhì)子質(zhì)子對撞的粲夸克產(chǎn)生,并和FONLL計(jì)算對比。??在實(shí)驗(yàn)上,存在兩種開重味產(chǎn)生的相關(guān)研究方法:強(qiáng)子衰變道的直接強(qiáng)子不變??質(zhì)量重建和來自半輕子衰變道的單輕子[14]。因?yàn)樵冢遥龋桑媚軈^(qū)下,重味的產(chǎn)生截??面比輕味強(qiáng)子低
圖1.4?STAR實(shí)驗(yàn)200?GeV質(zhì)心系能量下質(zhì)子-質(zhì)子對撞中來自非光電子的產(chǎn)??生截面,曲線來自F0NLL計(jì)算,底部展示了數(shù)據(jù)和FONLL計(jì)算的比率。??圖1.4描述了?200?GeV質(zhì)子-質(zhì)子碰撞系統(tǒng)中,基于STARRun2005和Run2008??的數(shù)據(jù),非光電子不變質(zhì)量作為pT的函數(shù)。黑色曲線是FONLL計(jì)算[17],底部的圖??展示了數(shù)據(jù)與F0NLL計(jì)算的比率,FONLL在它的理論誤差范圍內(nèi)可以很好地描述??STAR測量。??圖1.5描述了在PHENIX實(shí)驗(yàn)200?GeV質(zhì)子-質(zhì)子碰撞測量的非光電子產(chǎn)生結(jié)??果。該結(jié)果已和FONLL微擾QCD計(jì)算[18]做對比。在數(shù)據(jù)誤差范圍內(nèi),該測量和??FONLL計(jì)算的中心值一致。該計(jì)算展示了在pT高于4GeV/c的情況下,粲強(qiáng)子和底??強(qiáng)子分別衰變到電子的貢獻(xiàn),并且底強(qiáng)子衰變電子的貢獻(xiàn)比粲強(qiáng)子的貢獻(xiàn)大[19]。??圖1.6顯示了來自STAR實(shí)驗(yàn)測量的200?GeV質(zhì)心系能量下d+Au和Au+Au碰??撞中非光電子的核修正因子并且與理論模型計(jì)算[20]相比較。其中帶有初始膠??子密度^=1000的硬散射的DGLV輻射能損模型計(jì)算,與實(shí)驗(yàn)測量到的輕夸克壓??dy??低一致。而BAMPS輻射能損模型[21]是通過多次軟碰撞來研宄的,與實(shí)驗(yàn)測量到??的輕夸克壓低也一致。??4??
本文編號:3597623
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