高質(zhì)量的MOCVD外延材料是研制高性能半導(dǎo)體光電器件的基礎(chǔ)。通過制作簡單的量子阱結(jié)構(gòu),利用光熒光系統(tǒng)進行快速表征,得到Ⅴ/Ⅲ比不但會影響PL的強度,還會影響片內(nèi)均勻性的結(jié)論。根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)偏差統(tǒng)計法,確定了InGaAs量子阱外延的最佳Ⅴ/Ⅲ比為35�；趦�(yōu)化的外延參數(shù),制備了波長為980nm的半導(dǎo)體激光器,在15A脈沖電流下,腔面未鍍膜時器件的平均輸出功率為9.6W,中心波長為977.2nm。研究結(jié)果為半導(dǎo)體激光器的研制提供了一種快速有效的方法。 

【文章來源】：半導(dǎo)體光電. 2017,38(05)北大核心

【文章頁數(shù)】：4 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 表征結(jié)構(gòu)及外延
2 PL表征結(jié)果
3 器件結(jié)果
4 結(jié)論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]980nm大功率半導(dǎo)體激光器的MOCVD外延生長條件優(yōu)化[J]. 李巖,李建軍,鄧軍,韓軍.  半導(dǎo)體光電. 2016(04)
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[3]非對稱超大光腔980nm大功率半導(dǎo)體激光器[J]. 李建軍,崔碧峰,鄧軍,韓軍,劉濤,李佳莼,計偉,張松.  中國激光. 2013(11)
[4]應(yīng)變InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生長優(yōu)化及其在980nm半導(dǎo)體激光器中的應(yīng)用[J]. 俞波,蓋紅星,韓軍,鄧軍,邢艷輝,李建軍,廉鵬,鄒德恕,沈光地.  量子電子學(xué)報. 2005(01)



本文編號：3518855