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RbY 2 Cl 7 :Ce晶體的生長(zhǎng)和閃爍性能研究

發(fā)布時(shí)間:2021-10-11 17:51
  采用坩堝下降法,在真空密封的石英坩堝中成功生長(zhǎng)出復(fù)合稀土鹵化物RbY2Cl7∶Ce單晶。此晶體屬于正交晶系,晶胞參數(shù)為:a=1.274 69 nm,b=0.693 02 nm,c=1.266 55 nm。熔點(diǎn)為617℃。表征了該晶體的X射線光致激發(fā)-發(fā)光光譜、激發(fā)發(fā)射光譜、γ射線多道能譜及激發(fā)衰減曲線等閃爍性能。RbY2Cl7∶Ce的激發(fā)-發(fā)射光譜顯示發(fā)射峰在389 nm左右,激發(fā)峰在336 nm左右。在137Cs源的γ射線激發(fā)下能量分辨率約為9.8%,閃爍衰減時(shí)間約為35 ns。 

【文章來(lái)源】:人工晶體學(xué)報(bào). 2020,49(05)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】:5 頁(yè)

【部分圖文】:

RbY 2 Cl 7 :Ce晶體的生長(zhǎng)和閃爍性能研究


RbY2Cl7∶Ce晶體的DTA/TG曲線

光譜圖,光致發(fā)光,晶體,衰減時(shí)間


RbY2Cl7∶Ce晶體的光致發(fā)光光譜

衰減時(shí)間,晶體,熒光,光致發(fā)光


圖5 RbY2Cl7∶Ce晶體的光致發(fā)光光譜RbY2Cl7∶Ce晶體的X射線激發(fā)發(fā)射光譜如圖7所示。室溫下的最大發(fā)射峰波長(zhǎng)為389 nm。從275 nm到325 nm出現(xiàn)的微弱發(fā)射峰是由CVL引起的,而CVL是由3p Cl到5p Rb的電子躍遷引起的[18-19]。從350 nm到450 nm的寬發(fā)射帶是由Ce3+從t2g到4f的電子躍遷引起的。與紫外燈激發(fā)下的光致發(fā)光發(fā)射波長(zhǎng)幾乎相一致,可以很好地與光電倍增管相匹配。

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]ACl-YCl3(A:Li,Na,K,Rb,Cs)二元相圖的熱力學(xué)分析[J]. 喬芝郁,莊衛(wèi)東,蘇勉曾.  中國(guó)科學(xué)(A輯 數(shù)學(xué) 物理學(xué) 天文學(xué) 技術(shù)科學(xué)). 1992(02)



本文編號(hào):3430986

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