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基于相干光的微電子光學(xué)測量系統(tǒng)技術(shù)分析

發(fā)布時(shí)間:2021-10-10 22:38
  目前集成電路對(duì)微電子測量技術(shù)提出了較高要求,其中光學(xué)關(guān)鍵尺寸作為微電子測量中的關(guān)鍵,其分辨率與測量極限問題表現(xiàn)得較為突出。本文基于相干光技術(shù),詳細(xì)研究相干光技術(shù)在微電子光學(xué)測量中的應(yīng)用,并提出一套完整的系統(tǒng)方案,希望為進(jìn)一步提高微電子測量精準(zhǔn)度尋找出更有效的方法。 

【文章來源】:電子元器件與信息技術(shù). 2020,4(09)

【文章頁數(shù)】:2 頁

【部分圖文】:

基于相干光的微電子光學(xué)測量系統(tǒng)技術(shù)分析


系統(tǒng)結(jié)構(gòu)

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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[3]高Q腔中Stark效應(yīng)對(duì)兩原子糾纏的影響[J]. 邢晉晶,王中結(jié),張侃.  量子電子學(xué)報(bào). 2009(03)
[4]高斯型耦合Tavis-Cummings模型的糾纏特性[J]. 鄒艷,李永平.  量子電子學(xué)報(bào). 2008(03)
[5]多光子Tavis-Cummings模型中兩糾纏原子的糾纏演化特性[J]. 張英杰,周原,夏云杰.  物理學(xué)報(bào). 2008(01)
[6]雙模糾纏相干光與Bell態(tài)原子系統(tǒng)的光子統(tǒng)計(jì)[J]. 林繼成,鄭小虎,曹卓良.  光子學(xué)報(bào). 2007(06)



本文編號(hào):3429282

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