目前,中子在各個(gè)領(lǐng)域有著越來越多的應(yīng)用。我國(guó)也在“十一五”期間規(guī)劃建設(shè)了用于中子科學(xué)研究與中子應(yīng)用相關(guān)領(lǐng)域研究的大科學(xué)裝置——中國(guó)散裂中子源。在中國(guó)散裂中子源的反角方向,有一條適用于核數(shù)據(jù)測(cè)量的白光中子束線,叫做Back-n束線。在Back-n束線上目前規(guī)劃了 7臺(tái)中子譜儀,輕帶電粒子探測(cè)器陣列（Light-charged Particle Detector Array,LPDA）是其中之一,用于中子誘發(fā)帶電粒子發(fā)射（n,Icp）反應(yīng)的研究。由于LPDA所需通道數(shù)較多、精度較高,現(xiàn)有的讀出電子學(xué)系統(tǒng)難以很好的滿足要求,為此,需要構(gòu)建一個(gè)新的讀出電子學(xué)系統(tǒng)。Back-n共用電子學(xué)系統(tǒng)波形數(shù)字化技術(shù),基于PXIe平臺(tái)構(gòu)建,可以通過記錄波形獲取所需的物理量信息,具有架構(gòu)簡(jiǎn)單、靈活高效的特點(diǎn)。通過已有設(shè)計(jì)的復(fù)用,可以快速開發(fā)所需的讀出電子學(xué)系統(tǒng)。為了提高集成度和性能以支持LPDA譜儀的需求,需要設(shè)計(jì)一個(gè)新的波形數(shù)字化模塊。因此,本文即對(duì)適用于LPDA譜儀的波形數(shù)字化模塊進(jìn)行研究。首先,本文對(duì)國(guó)內(nèi)外相關(guān)的中子譜儀尤其是其讀出電子學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行了調(diào)研;在此基礎(chǔ)上,本文提出了基于PXIe平臺(tái)的讀出電子學(xué)... 

【文章來源】：中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：87 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

CSNS結(jié)構(gòu)示愈圖

?第１章引?言???的出射中子會(huì)進(jìn)入質(zhì)子束線。一般認(rèn)為，這些中子可能造成束線上相關(guān)設(shè)備的損??壞，需要放置中子阻止器對(duì)其進(jìn)行吸收。但研宄發(fā)現(xiàn)，反角方向的出射中子沒??有經(jīng)過大量慢化體，能量仍然分布在ｅＶ到幾百ＭｅＶ內(nèi)，并且中子注量率很高，??是一條較好的白光中子源束線，適用于核數(shù)據(jù)的測(cè)量。Ｂａｃｋ－ｎ束線的主要設(shè)計(jì)參??數(shù)見表１．１，仿真得到中子能譜見圖１．４。ｆｎＩ??出入通道??

子在ＡＥ層衰減的能量一般與入射粒子的特性有關(guān)，通過繪制ＡＥ－Ｅ圖譜即可得??到區(qū)分不同粒子。此外，通過ＡＥ－Ｅ的符合，還可以去除大部分的本底。常見的??ＡＥ－Ｅ圖譜如圖１．５所示。探測(cè)器的ＡＥ層一般為氣體探測(cè)器或硅探測(cè)器，利用不??同電荷粒子在介質(zhì)中的電離特性不同來區(qū)分各個(gè)入射粒子。探測(cè)器的Ｅ層需要??７??

【參考文獻(xiàn)】：
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