氧化硅波導芯層的側(cè)壁粗糙度和角度是導致器件產(chǎn)生光損耗的主要原因之一。為精確測量沉積包層后氧化硅波導芯層側(cè)壁角,研究了一種利用光學成像顯微鏡測量波導側(cè)壁角度的方法,并詳細分析了引起測量誤差的顯微物鏡放大倍數(shù)與成像特征之間的關(guān)系。根據(jù)理論分析對波導側(cè)壁角度的測量值進行了校正,獲得的實驗結(jié)果與激光共聚焦測量結(jié)果相一致。利用該測量方法對10組已沉積包層波導芯層側(cè)壁角度進行了測量并與未沉積包層時激光共聚焦的測量結(jié)果進行對比,得出測量精度在±1°以內(nèi)。該方法為沉積包層后氧化硅波導器件芯層側(cè)壁角度測量提供了一種精確可行的方案。 

【文章來源】：光學精密工程. 2020,28(12)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：8 頁

【部分圖文】：

波導結(jié)構(gòu)與測試放置示意圖

BMM-50型顯微鏡成像系統(tǒng)示意圖

顯微鏡觀察時將波導底邊成像分為對稱的兩部分

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3323168