針對鐵磁性材料試件的復(fù)雜缺陷,本論文對漏磁場產(chǎn)生和耦合機制做了深入地理論分析。最終搭建起一套從理論模擬到工程實踐的鐵磁性試件的復(fù)雜缺陷檢測平臺。1.由磁介質(zhì)安培分子電流理論,建立起缺陷幾何到漏磁場成像的動態(tài)解析模型,即螺線管模型。結(jié)合有限元方法,分析了無拐點的單一線狀缺陷的參數(shù)與其漏磁場分布的關(guān)系,從而得到漏磁場信號的峰值隨缺陷深度而改變,半峰寬隨缺陷寬度而改變的結(jié)論,在驗證螺線管模型的同時,為實際漏磁檢測提供了理論指導(dǎo)。對于復(fù)雜缺陷,模型首先使用電磁場邊界條件確定了試件的磁化準飽和狀態(tài),為仿真和實驗中的激勵磁場設(shè)置給出了建議值,以保證有效性。之后以V型和Z型缺陷來模擬具有不同拐點數(shù)目的復(fù)雜裂縫,分析得到復(fù)雜缺陷的漏磁場畸變的特點與仿真方案,有利于缺陷量化,有助于對單方向或多方向磁場激勵下的缺陷精確檢測。2.同時螺線管模型通過引入缺陷面參數(shù)和磁化強度的關(guān)系,以及鐵磁性材料磁化磁滯模型,彌補了磁偶極子模型的缺點。在引入了螺線管相互作用力后,計算出了磁偶極子模型無法仿真的漏磁場中線畸變和拐點畸變,完成了解析法的精確計算。與有限元方法相比,實現(xiàn)了快速計算。3.針對缺陷成像對激勵磁場敏感的問題... 

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：71 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

磁介質(zhì)、分子電流觀點與磁荷觀點

場分布可根據(jù)下述過程計算。。根據(jù)畢奧薩伐爾定律，當 P 點處于環(huán)電流磁環(huán)電流1L 在坐標為2r 的場點 P 產(chǎn)生的磁感應(yīng) 10 1 122212 4LI drr l rB 1 r 為從源點到場點的徑矢，12r 為向量的模，電流積分時的積分微元。假設(shè)環(huán)電流1L 經(jīng)過乘以2dl ，可得 11 12 202 2212 4LId dr dr l r lB l 三重標積定律 A B C A C B，將上 11 2 1202 2212 4LId dr dr l l rB l

圖 2-5 半無限長螺線管產(chǎn)生的磁場2-17），繼續(xù)求解半無限長螺線管的解析式。如圖 2中心位于 x 軸的負半軸，電流磁矩的指向為 x 軸的標原點，場點 P 到坐標原點的距離為 r。根據(jù)上文式，令 P 點坐標為 x, y ,z ，在0x 處取長為0dx 的微元，其中心坐標為 0x ,0,0，螺線管的單位長度積分微元0dx 對應(yīng)的電流為0dI nIdx，對 P 點的磁 22 2005 2022 20005 2022 2024343xdIydInISx x y zdB dxx x y zISx x ydB dxx x y znISx x z

【參考文獻】：
期刊論文
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碩士論文
[1]JA/SW三維混合磁滯模型理論及仿真研究[D]. 任靜.河北工業(yè)大學(xué) 2011



本文編號：3314554