用冷等靜壓制多晶料棒通過高溫固相法制備Gd₂SiO₅∶Eu³⁺粉末,并使用光學(xué)浮區(qū)法制得晶體。對其進(jìn)行微觀組織結(jié)構(gòu)及光譜性能測試,XRD分析表明,晶體生長方向?yàn)閇001]方向;搖擺曲線和Raman分析均表明其結(jié)晶狀況比粉末、料棒更好;晶體無宏觀和微觀缺陷;EDS及XPS分析表明晶體中無雜質(zhì)成分,且XPS譜中可以觀測到Gd3d_5/2、Eu4d_5/2光電子峰劈裂,分別對應(yīng)7配位和9配位離子。UV-Vis低溫吸收譜中存在Eu³⁺-O^2-電荷轉(zhuǎn)移吸收帶和Gd³⁺4f-4f電子躍遷吸收(⁶D/I/P_J→⁸S_7/2)吸收限,做（Ahν）^1/2-hν曲線得到其禁帶寬度為5.9 eV;樣品在紫外激發(fā)下呈橘紅色,并在254 nm、277 nm、365 nm、396 nm激發(fā)下可產(chǎn)生發(fā)射峰為583 nm、596 nm、620... 

【文章來源】：人工晶體學(xué)報. 2020,49(05)北大核心

【文章頁數(shù)】：9 頁

【部分圖文】：

Gd2SiO5∶Eu3+樣品制備過程

如圖2所示,粉末、料棒、晶體樣品衍射峰位置與標(biāo)準(zhǔn)Gd2SiO5卡片(PDF#74-1795,a=0.911 05(8) nm,b=0.697 83(7) nm,c=0.685 44(8) nm,α=γ=90°, β=107°)相吻合,樣品中無雜質(zhì)相峰。此外,粉末的峰相對強(qiáng)度與標(biāo)準(zhǔn)PDF卡吻合最好(出現(xiàn)典型三強(qiáng)衍射峰,即(021)、(121)、(300));而單晶和料棒則與標(biāo)準(zhǔn)譜存在一定偏差,料棒中(340)為最強(qiáng)峰而單晶中其(340)(110)明顯增強(qiáng),由此可見,粉末中晶粒無明顯擇優(yōu)取向,料棒晶粒存在擇優(yōu)取向,單晶生長方向?yàn)閇001]軸方向(由晶帶定律[19]求得(340)×(110)=[001])。圖3 Gd2SiO5∶Eu3+的(340)面搖擺曲線

圖2 Gd2SiO5∶Eu3+樣品XRD圖譜表1 Gd2SiO5∶Eu3+點(diǎn)陣參數(shù)精確計(jì)算Table 1 Accurate calculation of Gd2SiO5∶Eu3+ lattice parameters 2θ/(°) hkl d/nm 1/2×(cos2θ/sinθ+cos2θ/θ) a/nm(Gd2SiO5∶Eu3+) 16.159 110 5.480 6 3.307 0.908 84 28.844 021 3.092 8 1.561 0.909 09 30.828 300 2.898 0 1.407 0.909 13 32.071 121 2.788 5 1.316 0.909 17 61.459 340 1.507 4 0.237 0.909 36

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號：3300536