高精尖科學儀器的研發(fā)促進了物理現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)和理論的發(fā)展,材料內(nèi)部電子的物理量能直接反映材料的物理化學特性。電子有能量、動量和自旋狀態(tài)三個基本參數(shù),測量這三個物理量能更快、更全面地研究材料性質(zhì)。光電子能譜能直接測量這3個基本物理量,因此研究光電子能譜能促進先進材料的研究和發(fā)展。使用連續(xù)光或者脈沖光作為光源獲得的光電子能譜會反映材料的不同特性。使用氦燈作為光源可以獲得樣品的穩(wěn)態(tài)能帶信息,使用飛秒激光激發(fā)的高次諧波作為光源可以獲得樣品能帶的動態(tài)信息。靈活運用這兩種光源可以更加深入地探測材料內(nèi)部的電子動態(tài)過程。本文圍繞高次諧波的產(chǎn)生,針對高次諧波在光電子能譜中的應用,主要進行了以下幾個方面的工作:1、研究了高次諧波產(chǎn)生極紫外光（XUV）的過程以及如何獲得極紫外單色光,包括不同波長激光激發(fā)高次諧波產(chǎn)生XUV的光譜、帶寬分析。分析了XUV在角分辨光電子能譜（ARPES）中聚焦光斑的大小,探討和解決了ARPES測試中產(chǎn)生的空間電荷效應問題。完善了XUV應用在ARPES上的理論基礎,驗證了XUV工作的可行性。2、研究了Bi2Se3的穩(wěn)態(tài)能帶數(shù)據(jù)和時間分辨的能帶數(shù)據(jù)。與穩(wěn)態(tài)能帶信號相比,時間分辨的能帶數(shù)據(jù)... 

【文章來源】：南京大學江蘇省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：66 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－１利用Ｔｒ－ＡＲＰＥＳ研宄ｎ型和ｐ型石墨烯內(nèi)部的電子動態(tài)過程（圖來自文獻［２ｐ??

?ｏ?５Ｍ?ｉ？？?ｉｓｏｏ?ｓｏｃｏ?２Ｓ〇〇?ｄｏｏｏ?ｋｏｏ??ｔｉｍｅ?ｄｅｌａｙ?（＜ｓ）??圖１－１利用Ｔｒ－ＡＲＰＥＳ研宄ｎ型和ｐ型石墨烯內(nèi)部的電子動態(tài)過程（圖來自文獻［２ｐ??２??

?０．５?１??圖１－３利用Ｔｒ－ＡＲＰＥＳ研宄ｌＴ－ＴａＳ２的電荷密度波（圖來自文獻［１２］）??Ｔｒ－ＡＲＰＥＳ在其他領域也有著廣泛的應用。高溫超導體（ＨＴＣ）在物理學界??己經(jīng)熱烈探討了許多年，但其理論還需要進行完善。Ｒｅｔｔｉｇ研宄了反鐵磁性基態(tài)??的作用以及自旋漲落等低能量激發(fā)和晶格振動之間的耦合，發(fā)現(xiàn)這也許是研宄??ＨＴＣ超導特性的關鍵［２１］。??重費米子系統(tǒng)ＵＲｕ２Ｓｉ２中隱序躍遷的現(xiàn)象多年來一直無法被正確解釋。??Ｄａｋｏｖｓｋｉ利用Ｔｒ－ＡＲＰＥＳ，通過觀察泵浦電子的動態(tài)差異發(fā)現(xiàn)隱序態(tài)在費米能級??附近態(tài)密度的減少Ｐ２］。??以上種種科學研究進展表明，Ｔｒ－ＡＲＰＥＳ能夠幫助研宄人員更深入地了解先??進材料領域的物理現(xiàn)象，為這些材料在今后應用到超高速信息電子器件上提供了??幫助，因此獲得這樣強大的研究工具有著十分重大的意義。??４??


本文編號：3234474