本文選題：收攏表面 + 二次電子��； 參考：《西安交通大學(xué)學(xué)報(bào)》2017年04期

【摘要】：針對二次電子諧振倍增引起的微放電效應(yīng)導(dǎo)致微波部件傳輸性能降低的現(xiàn)象,提出了一種能顯著抑制二次電子的收攏式微陷阱表面結(jié)構(gòu)。首先,通過分類處理彈性背散射、非彈性背散射以及真二次電子出射概率得到平整表面的總二次電子出射特性;然后,采用粒子模擬的方法跟蹤二次電子在收攏式陷阱結(jié)構(gòu)內(nèi)的級聯(lián)再入射過程,獲得收攏式陷阱結(jié)構(gòu)對二次電子的抑制特性,從而得到收攏式表面結(jié)構(gòu)對不同類型出射電子的抑制效果和二次電子能譜變化趨勢,以及表面結(jié)構(gòu)參數(shù)對二次電子發(fā)射特性和微放電品質(zhì)因子的影響規(guī)律。仿真結(jié)果表明:收攏式表面使得二次電子產(chǎn)額在各個(gè)能量段整體下降,對應(yīng)的二次電子能譜呈現(xiàn)更集中的趨勢。收攏式結(jié)構(gòu)中的矩形寬度對二次電子的影響呈先減小后增加趨勢,而矩形深度能呈線性地提高微放電的品質(zhì)因子。這種收攏式結(jié)構(gòu)的橢圓水平軸長在最優(yōu)的情況下比相同孔隙率和深寬比矩形陷阱結(jié)構(gòu)對二次電子發(fā)射的抑制效果提高21.2%,同時(shí)使微放電品質(zhì)因子提升24.97%。
[Abstract]:In view of the phenomenon that the transmission performance of microwave components is reduced due to the microdischarge effect caused by the secondary electron resonance multiplication, a kind of closed microtrap surface structure which can significantly suppress the secondary electrons is proposed. First, the total secondary electron emission characteristics of flat surface are obtained by classifying elastic backscattering, inelastic backscattering and true secondary electron ejection probability. Particle simulation is used to track the cascade reincidence process of secondary electrons in the trapping structure, and the suppression characteristics of the secondary electrons by the trapping structure are obtained. The effect of the retractable surface structure on the emission of different types of electrons and the change trend of the secondary electron energy spectrum are obtained, as well as the influence of surface structure parameters on the emission characteristics of the secondary electron and the quality factor of the micro-discharge. The simulation results show that the retractable surface results in the decrease of the secondary electron yield at all energy levels, and the corresponding secondary electron spectra show a more concentrated trend. The effect of rectangular width on the secondary electrons in the closed structure decreases first and then increases, while the rectangular depth energy increases linearly the quality factor of microdischarge. The elliptical horizontal axis length of this kind of closed structure is better than that of the rectangular trap structure in inhibiting the secondary electron emission by 21.2% and 24.97% higher than that of the rectangular trap structure under the optimal condition.
【作者單位】： 中國空間技術(shù)研究院西安分院國家級空間微波技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;西安交通大學(xué)電子物理與器件教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金重點(diǎn)資助項(xiàng)目(U1537211) 中國博士后科學(xué)基金資助項(xiàng)目(2016M602944XB)
【分類號】：O462.2

【參考文獻(xiàn)】

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【二級參考文獻(xiàn)】

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本文編號：1906020