本文選題：螺旋波等離子體 + SiON��； 參考：《科學(xué)通報(bào)》2017年19期

【摘要】：采用不同比例的N_2/Ar螺旋波等離子體(HWP),對(duì)Si表面進(jìn)行氮化處理合成SiON薄膜.X射線光電子能譜(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)結(jié)果顯示,SiON薄膜主要由Si O N和Si N鍵的兩相結(jié)構(gòu)組成.原子力顯微鏡結(jié)果表明氮化層光滑平整,薄膜表面粗糙度小于1.2 nm.水接觸角的測(cè)量表明經(jīng)過(guò)等離子體處理后樣品表面疏水性能提高.放電過(guò)程中通過(guò)發(fā)射光譜采集了不同N_2和Ar流量比放電時(shí)的光譜數(shù)據(jù),研究了等離子體中的粒子與SiON薄膜結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系.
[Abstract]:SiON thin films were synthesized by nitridation treatment on Si surface by N_2/Ar helical wave plasma with different ratios. X-ray photoelectron spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The results show that the Sion films are mainly composed of Si O O N and Si N bonds. Atomic force microscopy (AFM) results show that the nitride layer is smooth and the surface roughness of the film is less than 1.2 nm. The measurement of water contact angle shows that the surface hydrophobicity of the sample is improved after plasma treatment. During the discharge, the spectral data of different discharge ratios of N _ S _ 2 and ar were collected by emission spectra, and the relationship between the particles in plasma and the structure of SiON thin films was studied.
【作者單位】： 蘇州大學(xué)物理與光電能源學(xué)部蘇州納米科技協(xié)同創(chuàng)新中心;江蘇省薄膜材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;蘇州大學(xué)分析測(cè)試中心;
【基金】：國(guó)家磁約束聚變項(xiàng)目(2014GB106005,2010GB106000) 國(guó)家自然科學(xué)基金(11175126,11375126,11435009,11505123)資助
【分類(lèi)號(hào)】：O484;O53

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本文編號(hào)：1848709