本文選題：GW近似 + MgS�。� 參考：《原子與分子物理學(xué)報》2017年02期

【摘要】：應(yīng)用基于密度泛函理論下的局域密度近似(DFT-LDA)方法研究了巖石礦結(jié)構(gòu)的MgS和MgSe的晶體結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu).本文得到穩(wěn)定結(jié)構(gòu)的晶格常數(shù)與已知實驗數(shù)據(jù)相吻合,MgS和MgSe都是間接帶隙半導(dǎo)體且?guī)吨捣謩e為2.74 eV和1.70 eV.盡管本文利用LDA計算的帶隙值與之前的理論值很接近,但是局域密度近似常常低估帶隙值.因此應(yīng)用準(zhǔn)粒子GW(G是格林函數(shù),W是庫倫屏蔽相互作用)近似對MgS和MgSe的帶隙值進(jìn)行了修正,其結(jié)果分別為4.15 eV和2.74 eV.GW近似的結(jié)果應(yīng)該是合適的值.
[Abstract]:The crystal structure and energy band structure of MgS and MgSe of rock and ore structures are studied by using the local density approximation (DFT-LDA) method based on density functional theory (DFT). It is found that the lattice constants of the stable structure are in agreement with the known experimental data. Both MOS and MgSe are indirect band-gap semiconductors with bandgap values of 2.74 EV and 1.70 EV, respectively. Although the band gap calculated by LDA in this paper is very close to the previous theoretical value, the local density approximation often underestimates the band gap value. Therefore, the band gap values of MgS and MgSe are modified by using the quasi-particle GW(G is Green's function W is the Coulomb interaction) approximation. The results are 4.15eV and 2.74 eV.GW approximation, respectively, which should be the appropriate values.
【作者單位】： 成都大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院;黃河科技學(xué)院信息工程學(xué)院;四川大學(xué)原子與分子物理研究所;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(11374217) 成都大學(xué)青年基金(2013XJZ20) 四川省教育廳科研項目(14ZB0375)
【分類號】：O481

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1 任意;MgS和MgSe物性的第一原理研究[D];中南大學(xué);2010年

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本文編號：1808976