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周期性孔陣列金屬表面附近的局域態(tài)密度

發(fā)布時間:2018-04-25 14:40

  本文選題:表面光學 + 表面等離子體激元; 參考:《激光與光電子學進展》2017年07期


【摘要】:研究了具有周期性孔陣列的金屬表面附近的電磁局域態(tài)密度(EM-LDOS),詳細討論了孔的填充因子和孔內(nèi)填充介質(zhì)對EM-LDOS的影響。相對于金屬平板,具有孔陣列的金屬表面附近的EM-LDOS的共振峰會發(fā)生分裂;隨著填充因子的增加,橫向表面等離子體激元的共振峰向低頻方向移動,而縱向表面等離子體激元的共振峰向高頻方向移動。當孔內(nèi)填充具有更大介電常數(shù)的材料時,EM-LDOS譜中分裂的兩個峰都會向低頻方向移動,但低頻峰的移動相對于高頻峰的更為顯著。
[Abstract]:The electromagnetic local density of states (EM-LDOS) near the metal surface with periodic pore arrays is studied. The effect of the filling factor of the holes and the filling medium in the pores on the EM-LDOS is discussed in detail. The resonance summit of the EM-LDOS near the metal surface with an array of holes splits relative to the metal plate, and with the increase of the filling factor, the resonance peak of the transverse surface plasmon shifts to the low frequency. The resonance peak of longitudinal surface plasmon shifts to high frequency. When the pore is filled with materials with a larger dielectric constant, the split peaks in the EM-LDOS spectrum will move in the direction of low frequency, but the shift of the low frequency peak is more significant than that of the high frequency peak.
【作者單位】: 南昌大學物理系;南昌大學高等研究院;
【基金】:國家自然科學基金(11264029,11664024,61367006) 江西省自然科學基金(2015BAB202017)
【分類號】:O485

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本文編號:1801758

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