本文選題：Ta摻雜ITO薄膜　切入點(diǎn)：磁控濺射　出處：《材料保護(hù)》2017年03期

【摘要】：為了提高透明導(dǎo)電薄膜的綜合性能,采用磁控濺射法制備了Ta摻雜ITO(ITTO)薄膜,對(duì)薄膜在不同模擬環(huán)境介質(zhì)溶液中的電學(xué)穩(wěn)定性及電化學(xué)行為進(jìn)行了測(cè)試,分析了處于特定介質(zhì)環(huán)境中薄膜的相對(duì)電阻變化和表面形貌;基于薄膜表面接觸角的測(cè)量,計(jì)算了薄膜的表面能和極性度。結(jié)果表明:薄膜在各環(huán)境介質(zhì)中都發(fā)生了自鈍化現(xiàn)象,ITTO薄膜顯示了較好的化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性,除了晶體結(jié)構(gòu)的影響之外,穩(wěn)定性較好的氧化鉭也提高了薄膜的化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性;摻雜使得薄膜的接觸角減小,表面能增大,表面極性度增加,薄膜的表面狀態(tài)和靠近費(fèi)米能級(jí)處引入d軌道的活性高價(jià)原子的存在是促進(jìn)表面能提高的主要原因。
[Abstract]:In order to improve the comprehensive properties of transparent conductive films, Ta doped ITO _ (ITO) thin films were prepared by magnetron sputtering. The electrical stability and electrochemical behavior of the films in different simulated media solutions were measured. The relative resistance variation and surface morphology of the film in a specific dielectric environment are analyzed, and based on the measurement of the surface contact angle of the film, The surface energy and polarity of the films are calculated. The results show that the self-passivating phenomenon occurs in various environmental media. The ITTO films show good chemical stability and thermal stability, except for the effect of crystal structure. The stable tantalum oxide also improves the chemical stability and thermal stability of the film, and doping decreases the contact angle, increases the surface energy, and increases the surface polarity. The surface state of the film and the existence of the active valence atoms which introduce d orbitals near the Fermi level are the main reasons for the enhancement of the surface energy.
【作者單位】： 常州機(jī)電職業(yè)技術(shù)學(xué)院;常州中科常泰等離子體技術(shù)有限公司;中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所;
【基金】：江蘇省自然科學(xué)基金項(xiàng)目(BK20161201) 常州市應(yīng)用基礎(chǔ)研究項(xiàng)目(CE20152007) 江蘇高校品牌專(zhuān)業(yè)建設(shè)工程資助項(xiàng)目(PPZY2015B187) 江蘇高�！扒嗨{(lán)工程”中青年學(xué)術(shù)帶頭人培養(yǎng)資助項(xiàng)目(2016)
【分類(lèi)號(hào)】：O484

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1663756