2μm波段GaSb基亞波長光柵反射鏡的設(shè)計
本文選題:光柵 切入點:反射鏡 出處:《激光與光電子學(xué)進(jìn)展》2017年07期 論文類型:期刊論文
【摘要】:研究了一種2μm波段GaSb基亞波長光柵反射鏡,討論了亞波長光柵的各參數(shù)對反射譜的影響。對于中心波長為2μm的TM模式,反射鏡具有大寬帶和極高的反射率,反射帶寬與中心波長之比大于26%(反射率大于99%),波長為1.895~2.08μm時,反射率達(dá)到99.9%以上,帶寬達(dá)185nm,同時TE模的反射率低于垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器的激射條件(反射率小于95%)。該結(jié)構(gòu)的各個參數(shù)所允許的制作容差較大,有利于在垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器上的單片集成。
[Abstract]:In this paper, a 2 渭 m wavelength GaSb base subwavelength grating reflector is studied. The influence of the parameters of the subwavelength grating on the reflectance spectrum is discussed. For the TM mode with a central wavelength of 2 渭 m, the mirror has a wide band and a very high reflectivity. The ratio of reflection bandwidth to center wavelength is more than 26. When the reflectivity is greater than 99m and the wavelength is 1.895 ~ 2.08 渭 m, the reflectivity is more than 99.9%. The bandwidth is 185nm, and the reflectivity of te mode is lower than that of a vertical cavity surface-emitting semiconductor laser (reflectivity is less than 95nm). It is favorable for monolithic integration on vertical cavity surface emitting semiconductor lasers.
【作者單位】: 長春理工大學(xué)高功率半導(dǎo)體激光國家重點實驗室;
【基金】:國家自然科學(xué)基金(11474038,61376045,11474036) 總裝預(yù)研究基金(9140C31010214C310003,61424050302162405002)
【分類號】:TN248.4
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,本文編號:1633087
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