發(fā)布時間：2018-03-18 19:14

  本文選題：硒化錫　切入點：硫化錫　出處：《中國科學院大學學報》2017年01期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：硒化錫(Sn Se)和硫化錫(Sn S)是具有廣泛應用前景的熱電材料和光電材料。通過應用第一性原理方法,系統(tǒng)地研究硒化錫和硫化錫的力學性質和能帶結構,探討應變對其性質的影響。發(fā)現這些性質是各向異性的。計算應變-應變曲線、楊氏模量、聲子譜、聲速和應變下的能帶結構。發(fā)現硒化錫和硫化錫是具有負泊松率的拉脹材料,它們可用于傳感器和生物醫(yī)學等領域;在Z方向施加單軸-5%到5%的應變時,硒化錫的帶隙從0.7 e V變到1.03 e V,硫化錫的帶隙從0.85 e V變到1.41 e V,表明應變是調控硒化錫和硫化錫太陽能轉換效率的一種有效方法。
[Abstract]:Sn-Se) and Sn-S2SO4 are thermoelectric and optoelectronic materials with wide application prospects. The mechanical properties and energy band structures of Sn-Se and Sn-S2SO4 are systematically studied by first principle method. It is found that these properties are anisotropic. The strain strain curve, Young's modulus, phonon spectrum are calculated. It is found that tin selenide and tin sulphide are tensile expansion materials with negative Poisson's rate, which can be used in sensor, biomedical and other fields. The band gap of tin selenide changed from 0.7 EV to 1.03 EV, and the band gap of tin sulfide changed from 0.85 EV to 1.41 EV, indicating that strain is an effective method to control the conversion efficiency of solar-energy between tin selenide and stannous sulfide.
【作者單位】： 中國科學院大學物理科學學院;中國科學院大學材料科學與光電技術學院;
【基金】：國家自然科學基金(11574309) 國家重點基礎研究發(fā)展(973)計劃項目(2012CB932901)資助
【分類號】：O482

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1 王榮;硒化錫納米晶可控制備及其薄膜性質研究[D];中國科學技術大學;2014年

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本文編號：1630928