本文選題：單空位　切入點(diǎn)：純?chǔ)?Zr　出處：《核動(dòng)力工程》2017年S1期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：采用第一性原理方法,使用Win2k軟件對(duì)含不同單空位濃度純?chǔ)?Zr體系的結(jié)構(gòu)、電子和能量性質(zhì)開展了研究,獲得了含不同單空位濃度的純?chǔ)?Zr晶格常數(shù)的變化,并計(jì)算了其電子密度、態(tài)密度和能帶結(jié)構(gòu)。結(jié)果表明,隨著單空位濃度的升高,純?chǔ)?Zr的晶格常數(shù)減小;當(dāng)空位作為純?chǔ)?Zr晶格中Zr原子的第一近鄰原子時(shí),其電子密度在相鄰Zr原子的方向上延伸,而不含空位的Zr原子的電子密度呈對(duì)稱分布;隨著體系空位濃度的降低,總態(tài)密度主峰升高,能帶結(jié)構(gòu)和費(fèi)米面變得更加復(fù)雜。
[Abstract]:The structure, electron and energy properties of pure 偽 -Zr system with different concentration of single vacancy were studied by Win2k software. The lattice constants of pure 偽 -Zr with different concentration of single vacancy were obtained, and the electron density was calculated. The results show that the lattice constant of pure 偽 -Zr decreases with the increase of single vacancy concentration, and the electron density extends in the direction of adjacent Zr atoms when the vacancy is the first nearest neighbor atom of Zr atom in pure 偽 -Zr lattice. However, the electron density of Zr atoms without vacancies is symmetrical. With the decrease of vacancy concentration, the main peak of total density of states increases, and the energy band structure and Fermi surface become more complex.
【作者單位】： 中國(guó)核動(dòng)力研究設(shè)計(jì)院第一研究所;重慶大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;烏克蘭國(guó)家科學(xué)院應(yīng)用物理研究所;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51601185) 四川省國(guó)際科技合作與交流計(jì)劃資助項(xiàng)目(2016HH0014) 中國(guó)博士后科學(xué)基金資助項(xiàng)目(2015M582575) 國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃資助項(xiàng)目(2016YFB07001)
【分類號(hào)】：O469

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本文編號(hào)：1621120