本文選題：量子點　切入點：雜質(zhì)態(tài)　出處：《內(nèi)蒙古大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版)》2017年01期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：在連續(xù)介電模型和有效質(zhì)量近似下,考慮電子有效質(zhì)量隨位置的變化,利用變分法從理論上研究了半導(dǎo)體有限高勢壘球形量子點中雜質(zhì)態(tài)的結(jié)合能.數(shù)值計算了AlxGa1-xAs/GaAs球形量子點雜質(zhì)態(tài)基態(tài)結(jié)合能隨量子點尺寸和壘材料Al組分的變化關(guān)系,討論了有效質(zhì)量隨位置變化對基態(tài)結(jié)合能的影響,并與不考慮有效質(zhì)量隨位置變化做了比較.結(jié)果表明:當量子點半徑較小時,電子有效質(zhì)量隨位置的變化增加了雜質(zhì)態(tài)基態(tài)結(jié)合能,隨量子點半徑增大,雜質(zhì)態(tài)基態(tài)結(jié)合能的增加幅度變小;量子點半徑較大時,電子有效質(zhì)量隨位置變化降低了雜質(zhì)態(tài)基態(tài)結(jié)合能.隨著Al組分增大,雜質(zhì)態(tài)基態(tài)結(jié)合能單調(diào)遞增.
[Abstract]:In the continuous dielectric model and the effective mass approximation, the change of the effective mass of the electron with the position is considered. The binding energy of impurity states in semiconductor finite high barrier spherical quantum dots is theoretically studied by variational method. The dependence of ground state binding energies of impurity states in AlxGa1-xAs/GaAs spherical quantum dots on the size of quantum dots and Al composition of barrier materials is numerically calculated. The effect of the effective mass with the position on the binding energy of the ground state is discussed and compared with that without considering the effective mass with the position. The results show that when the radius of the quantum dot is small, The binding energy of the ground state of impurity state increases with the change of the effective mass of the electron. The increase of the binding energy of the ground state of the impurity state becomes smaller with the increase of the radius of the quantum dot, and when the radius of the quantum dot is larger, The binding energy of the ground state decreases with the change of the effective mass of the electron, and increases monotonously with the increase of the Al component.
【作者單位】： 內(nèi)蒙古農(nóng)業(yè)大學(xué)理學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(No.1364028) 內(nèi)蒙古自然科學(xué)基金重大項目(No.2013ZD02)資助 內(nèi)蒙古"草原英才"工程資助項目
【分類號】：O471.1

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本文編號：1574523