發(fā)布時(shí)間：2018-02-20 15:41

  本文關(guān)鍵詞： BN納米帶 Stone-Wales缺陷 第一性原理 帶隙調(diào)控　出處：《人工晶體學(xué)報(bào)》2017年07期 　論文類(lèi)型：期刊論文

【摘要】：通過(guò)第一性原理密度泛函理論的方法,研究了Stone-Wales缺陷和C摻雜對(duì)手性BN納米帶的帶隙調(diào)控。結(jié)果表明,Stone-Wales缺陷使得BN納米帶的價(jià)帶頂(VBM)和導(dǎo)帶底(CBM)的占據(jù)態(tài)發(fā)生變化,從而引入了缺陷能級(jí)降低了帶隙,但Stone-Wales缺陷的個(gè)數(shù)對(duì)帶隙的大小影響不明顯。電子結(jié)構(gòu)計(jì)算表明,帶Stone-Wales缺陷的BN納米帶的缺陷能級(jí)主要是由VBM附近形成N-N原子的類(lèi)π鍵軌道和CBM附近形成B-B原子的類(lèi)σ鍵分布決定。通過(guò)在帶Stone-Wales缺陷的BN納米帶中引入C摻雜改變雜質(zhì)能級(jí)的分布,在VBM附近形成了C-C原子的類(lèi)σ鍵軌道和CBM附近形成了C-B原子的類(lèi)σ鍵,這樣可以進(jìn)一步降低BN納米帶的帶隙,拓展了BN納米帶的應(yīng)用。
[Abstract]:Through the method of first principle density functional theory, studied the Stone-Wales defect and doping of C chiral BN nanobelts with bandgap control. The results showed that the Stone-Wales defect makes the BN nanobelts valence band (VBM) and the bottom of the conduction band (CBM) of the occupied state changes, and the introduction of the defect level reduces the band gap. But a number of Stone-Wales defect size affect the band gap is not obvious. The calculation shows that the electronic structure, with Stone-Wales defect BN nanobelts defect level is mainly formed near the B-B atom bond class class pi bond orbit formed by VBM and N-N atoms near the CBM distribution decision. Through the distribution of the BN nanoparticles with Stone-Wales defect with the introduction of C doping can change the impurity levels in the vicinity of VBM, forming a kind of bonding of C-B atoms near the class sigma bonding orbital C-C atoms and CBM, which could further reduce the band gap of BN nanobelts, extension of BN Na The application of rice belt.

【作者單位】： 廣東石油化工學(xué)院應(yīng)用物理系;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(61475195,11547201) 廣東省自然科學(xué)基金(2015A030313873)
【分類(lèi)號(hào)】：O469

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前2條

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【共引文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

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本文編號(hào)：1519334