低閾值852nm半導(dǎo)體激光器的溫度特性
本文關(guān)鍵詞: nm半導(dǎo)體激光器 溫度特性 閾值電流 特征溫度 出處:《發(fā)光學(xué)報》2017年03期 論文類型:期刊論文
【摘要】:通過金屬有機化學(xué)氣相淀積(MOCVD)和半導(dǎo)體后工藝技術(shù)制備了852 nm半導(dǎo)體激光器,它在室溫下的閾值電流為57.5 m A,輸出的光譜線寬小于1 nm。測試分析了激光器的輸出光功率、閾值電流、電壓、輸出中心波長隨溫度的變化。測試結(jié)果表明,當(dāng)溫度變化范圍為293~328 K時,閾值電流的變化速率為0.447m A/K,特征溫度T0為142.25 K,輸出的光功率變化率為0.63 m W/K。通過計算求得理想因子n為2.11,激光器熱阻為77.7 K/W,中心波長漂移速率是0.249 29 nm/K,實驗得出的中心波長漂移速率與理論計算結(jié)果相符。實驗結(jié)果表明,該半導(dǎo)體器件在293~303 K的溫度范圍內(nèi),各特性參數(shù)能夠保持相對良好的狀態(tài)。器件如果工作在高溫環(huán)境,需要添加控溫設(shè)備以保證器件在良好狀態(tài)下運行。
[Abstract]:A 852nm semiconductor laser was fabricated by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) and post-semiconductor technology. Its threshold current at room temperature is 57.5 Ma. The output spectral linewidth is less than 1 nm. The variation of output power, threshold current, voltage and output center wavelength with temperature is analyzed. When the temperature range is 293 ~ 328K, the change rate of threshold current is 0.447mA / Kand the characteristic temperature T0 is 142.25K. The output optical power change rate is 0.63 MW / K. The ideal factor n is 2.11 and the thermal resistance of the laser is 77.7 K / W. The central wavelength drift rate is 0.249 29 nm / kg. The experimental results agree with the theoretical results. The semiconductor device is in a temperature range of 293 ~ 303K and each characteristic parameter can be maintained in a relatively good state if the device operates in a high temperature environment. Temperature control devices need to be added to ensure that the devices operate in good condition.
【作者單位】: 北京工業(yè)大學(xué)光電子技術(shù)教育部重點實驗室;
【基金】:半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)化技術(shù)基金(YXBGD20151JL01) 國家自然科學(xué)基金(61575008,60908012,61376049,61076044,61107026,61204011) 北京市自然科學(xué)基金(4132006,4102003,4112006) 北京市教育委員會基礎(chǔ)技術(shù)研究基金(KM201210005004)資助項目~~
【分類號】:TN248.4
【正文快照】: Supported by Semiconductor Laser Industrialization Technology Fund(YXBGD20151JL01);National Natural Science Foundationof China(61575008,60908012,61376049,61076044,61107026,61204011);National Natural Science Foundation of Beijingcity(4132006,4102003,41120
【相似文獻(xiàn)】
相關(guān)期刊論文 前10條
1 ;微型面發(fā)光半導(dǎo)體激光器[J];航空精密制造技術(shù);2000年01期
2 ;采用藍(lán)色半導(dǎo)體激光器的光盤[J];光機電信息;2000年01期
3 劉鳳英,王艷輝,李桂琴;半導(dǎo)體激光器發(fā)展概論[J];物理與工程;2000年06期
4 完顏圣;半導(dǎo)體激光器商品的未來發(fā)展[J];激光與光電子學(xué)進展;2000年06期
5 郭明秀,俞曉梅;硅基藍(lán)光半導(dǎo)體激光器[J];激光與光電子學(xué)進展;2000年09期
6 ;美開發(fā)軍民兩用半導(dǎo)體激光器[J];激光與光電子學(xué)進展;2000年11期
7 江濤;量子阱結(jié)構(gòu)紅外半導(dǎo)體激光器[J];紅外;2000年07期
8 ;半導(dǎo)體激光器[J];中國光學(xué)與應(yīng)用光學(xué)文摘;2001年02期
9 金友;日趨成熟的數(shù)千瓦級半導(dǎo)體激光器[J];光機電信息;2001年01期
10 左慧莉,王林斗;帶有保護功能的半導(dǎo)體激光器穩(wěn)流源[J];儀表技術(shù);2001年06期
相關(guān)會議論文 前10條
1 張興德;;半導(dǎo)體激光器的進展及其在軍事上的應(yīng)用[A];西部大開發(fā) 科教先行與可持續(xù)發(fā)展——中國科協(xié)2000年學(xué)術(shù)年會文集[C];2000年
2 陳良惠;;我國半導(dǎo)體激光器的新進展(報告內(nèi)容摘要)[A];光電技術(shù)與系統(tǒng)文選——中國光學(xué)學(xué)會光電技術(shù)專業(yè)委員會成立二十周年暨第十一屆全國光電技術(shù)與系統(tǒng)學(xué)術(shù)會議論文集[C];2005年
3 張玉馳;王曉勇;李剛;王軍民;張?zhí)觳?;自由運轉(zhuǎn)半導(dǎo)體激光器邊模間的強度起伏關(guān)聯(lián)[A];中國光學(xué)學(xué)會2006年學(xué)術(shù)大會論文摘要集[C];2006年
4 雷志鋒;黃云;楊少華;;半導(dǎo)體激光器的可靠性篩選和壽命評價[A];中國電子學(xué)會可靠性分會第十三屆學(xué)術(shù)年會論文選[C];2006年
5 徐強;;半導(dǎo)體激光器的矢量光場分析[A];中國光學(xué)學(xué)會2011年學(xué)術(shù)大會摘要集[C];2011年
6 肖樹妹;梅海平;黃宏華;饒瑞中;;半導(dǎo)體激光器電流頻率調(diào)制率的測量[A];第九屆全國光電技術(shù)學(xué)術(shù)交流會論文集(上冊)[C];2010年
7 胡靜芳;陳斌;陸道理;詹敦平;;基于半導(dǎo)體激光器的近紅外農(nóng)產(chǎn)品品質(zhì)專用檢測儀的設(shè)計[A];科學(xué)儀器服務(wù)民生學(xué)術(shù)大會論文集[C];2011年
8 劉賢炳;梁元濤;李蔚;楊名;丁勇;楊寧;徐國偉;龍熙平;楊鑄;;直接調(diào)制半導(dǎo)體激光器的非線性動力學(xué)特性研究[A];全國第十次光纖通信暨第十一屆集成光學(xué)學(xué)術(shù)會議(OFCIO’2001)論文集[C];2001年
9 陳炳林;張河;孫全意;;微型大電流窄脈寬半導(dǎo)體激光器電源的研究[A];中國儀器儀表學(xué)會學(xué)術(shù)論文集[C];2004年
10 許文海;王艷;林龍濤;;半導(dǎo)體激光器環(huán)境溫度控制儀的研究[A];2004全國測控、計量與儀器儀表學(xué)術(shù)年會論文集(下冊)[C];2004年
相關(guān)重要報紙文章 前10條
1 ;半導(dǎo)體激光器應(yīng)用市場廣闊[N];中國電子報;2000年
2 正 子;超寬帶半導(dǎo)體激光器問世[N];光明日報;2002年
3 王晶;朗訊貝爾實驗室推出新款半導(dǎo)體激光器[N];通信產(chǎn)業(yè)報;2002年
4 周碩;日亞化學(xué)推出488nm波長半導(dǎo)體激光器[N];電子資訊時報;2008年
5 ;高性能超寬帶半導(dǎo)體激光器[N];人民郵電;2002年
6 記者 齊芳邋通訊員 劉力;我國氮化鎵藍(lán)光半導(dǎo)體激光器研究取得重大突破[N];光明日報;2007年
7 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員 惠州市中科光電有限公司副總經(jīng)理 李玉璋;光存儲技術(shù)升級考驗元器件配套能力[N];中國電子報;2005年
8 劉晶;超寬帶半導(dǎo)體激光器問世[N];中國電子報;2002年
9 邵珍珍 本報記者 張顯峰;藍(lán)光半導(dǎo)體激光器讓300張光盤變1張[N];科技日報;2005年
10 記者 張兆軍;我大功率半導(dǎo)體激光器“刺破”國外技術(shù)壁壘[N];科技日報;2012年
相關(guān)博士學(xué)位論文 前10條
1 盧林林;基于重構(gòu)等效啁啾技術(shù)的1.3μm DFB半導(dǎo)體激光器及其陣列研究[D];南京大學(xué);2014年
2 張欣;基于量子阱混雜技術(shù)的快速波長可切換Ⅴ型耦合腔半導(dǎo)體激光器研究[D];浙江大學(xué);2015年
3 鄧軍;半導(dǎo)體激光器驅(qū)動模式與可靠性研究[D];吉林大學(xué);2008年
4 郜峰利;半導(dǎo)體激光器低頻電噪聲的特性及其檢測技術(shù)研究[D];吉林大學(xué);2008年
5 馮列峰;半導(dǎo)體激光器光電特性的研究[D];天津大學(xué);2007年
6 李再金;半導(dǎo)體激光器腔面光學(xué)膜關(guān)鍵技術(shù)研究[D];中國科學(xué)院研究生院(長春光學(xué)精密機械與物理研究所);2010年
7 常國龍;半導(dǎo)體激光器輻射效應(yīng)及影響研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2010年
8 范賢光;脈沖注入式半導(dǎo)體激光器電—光—熱特性及其測試技術(shù)研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2010年
9 程東明;無鋁半導(dǎo)體激光器列陣及其組裝技術(shù)的研究[D];中國科學(xué)院研究生院(長春光學(xué)精密機械與物理研究所);2003年
10 曹軍勝;半導(dǎo)體激光器及其列陣的無損檢測技術(shù)研究[D];吉林大學(xué);2007年
相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條
1 邱忠陽;半導(dǎo)體激光器腔面鈍化的研究[D];長春理工大學(xué);2010年
2 劉元元;互注入半導(dǎo)體激光器動態(tài)特性研究[D];西南大學(xué);2011年
3 康健斌;脈沖式半導(dǎo)體激光器驅(qū)動源的設(shè)計[D];西安電子科技大學(xué);2011年
4 郭少華;半導(dǎo)體激光器特性參數(shù)測量系統(tǒng)的設(shè)計研制[D];天津工業(yè)大學(xué);2005年
5 張毅;半導(dǎo)體激光器光混沌和同步的理論研究[D];西南師范大學(xué);2005年
6 徐雅t,
本文編號:1487486
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/wulilw/1487486.html