發(fā)布時(shí)間：2018-01-29 10:18

  本文關(guān)鍵詞： MgO薄膜 二次電子發(fā)射 介質(zhì)薄膜 衰減機(jī)理　出處：《西安交通大學(xué)學(xué)報(bào)》2017年11期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：以MgO薄膜、MgO/Au復(fù)合薄膜作為二次電子發(fā)射材料的研究對(duì)象,利用持續(xù)電子束轟擊薄膜的方式,研究了二次電子效應(yīng)與時(shí)間的變化規(guī)律。通過(guò)測(cè)試樣品時(shí)間的指數(shù)衰減,電導(dǎo)率和介電常數(shù)對(duì)衰減速率的影響,建立模型假設(shè)來(lái)研究二次電子發(fā)射的機(jī)理,提出了潛在電子的概念及平板電容模型;以此模型為基礎(chǔ)進(jìn)行分析推導(dǎo),建立了二次電子發(fā)射過(guò)程理論模型,得出了誘導(dǎo)電流和二次電子發(fā)射系數(shù)實(shí)驗(yàn)值的表達(dá)式,與實(shí)際樣品測(cè)試結(jié)果的趨勢(shì)一致,二次電子發(fā)射材料性能的衰減速率與薄膜電導(dǎo)率正相關(guān),驗(yàn)證了所提理論模型能很好地解釋介質(zhì)薄膜二次電子發(fā)射的衰減機(jī)理,有助于提高二次電子發(fā)射材料的衰減性能,為改進(jìn)工藝和研發(fā)新型介質(zhì)薄膜材料提供了一定的理論指導(dǎo)。
[Abstract]:The MgO thin film / MgO / au composite film was used as the secondary electron emission material, and the method of continuous electron beam bombardment was used. The variation of secondary electron effect and time was studied. The mechanism of secondary electron emission was studied by testing the exponential decay of sample time, the influence of conductivity and dielectric constant on attenuation rate. The concept of potential electron and the model of plate capacitance are proposed. Based on this model, the theoretical model of the secondary electron emission process is established, and the expressions of the induced current and the secondary electron emission coefficient are obtained, which are consistent with the experimental results of the actual samples. The attenuation rate of the secondary electron emission material is positively correlated with the conductivity of the film, which verifies that the proposed theoretical model can explain the attenuation mechanism of the secondary electron emission of the dielectric thin film. It is helpful to improve the attenuation performance of the secondary electron emission materials and provide some theoretical guidance for the improvement of the technology and the development of new dielectric thin film materials.
【作者單位】： 西安交通大學(xué)物理電子物理與器件教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61771383)
【分類號(hào)】：O484
【正文快照】： 電子倍增器是一種用來(lái)放大入射電子數(shù)的真空電子器件,廣泛應(yīng)用于各類精密儀器中。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),在電子束轟擊介質(zhì)薄膜的過(guò)程中,二次電子發(fā)射特性會(huì)隨著時(shí)間逐漸衰減,從而降低器件的使用壽命[1-3]。為了提高電子倍增器的性能,需要開發(fā)新制備工藝或研發(fā)新型的薄膜材料,MgO薄膜具有二

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本文編號(hào)：1473179