本文關(guān)鍵詞： γ-CuI晶體 超快閃爍體 衰減時間 能量響應(yīng)　出處：《無機(jī)材料學(xué)報(bào)》2017年02期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：采用溶劑蒸發(fā)法生長出透明的帶隙寬度為2.96 e V的γ-CuI晶體。在紫外光激發(fā)下,該晶體在410、430 nm處分別呈現(xiàn)有近帶邊發(fā)射峰,另在720 nm附近還出現(xiàn)一個與樣品碘缺陷有關(guān)的寬發(fā)射帶。經(jīng)碘退火后,樣品720 nm發(fā)射帶被基本抑制,而在420 nm處出現(xiàn)了一個更強(qiáng)的近帶邊發(fā)射峰。使用掃描相機(jī)分別測量了γ-CuI晶體各發(fā)射峰(帶)的衰減時間譜,其中近帶邊發(fā)射峰的發(fā)光衰減時間常數(shù)均在數(shù)十皮秒量級,表明γ-CuI晶體具有極快的時間響應(yīng)特性;而720 nm發(fā)射帶的發(fā)光衰減時間常數(shù)主要在數(shù)十納秒量級。X射線激發(fā)下,γ-CuI晶體具有435 nm近帶邊發(fā)射峰和680 nm發(fā)射帶,其近帶邊發(fā)射對X射線能量響應(yīng)的測量結(jié)果表明,當(dāng)EX49.1 ke V時,γ-CuI晶體閃爍光快分量對X射線的探測效率相對較高。
[Abstract]:Using solvent evaporation method to grow transparent bandgap of 2.96 e V gamma -CuI crystal. The crystal under UV excitation at 410430 nm respectively, showing a near band edge emission peak near 720 nm, the other also appeared for a sample of iodine defects of the broad emission band. With iodine after annealing. 720 samples of nm emission band was substantially suppressed, while at 420 nm showed a stronger near band edge emission. The emission peak of -CuI crystal gamma measurement using scanning camera respectively (with) the decay time spectrum, the near band edge emission peak luminescence decay time constant in tens of picoseconds, that the response characteristics of gamma -CuI crystal has a high time; while the 720 nm emission band luminescence decay time constant in tens of nanoseconds excited.X ray, gamma -CuI crystal with 435 nm near band edge emission and 680 nm emission band, the near band edge emission of X ray energy response test The results show that, when EX49.1 Ke V is used, the detection efficiency of the scintillation light in the gamma -CuI crystal is relatively high on the detection of X rays.

【作者單位】： 同濟(jì)大學(xué)物理科學(xué)與工程學(xué)院上海市特殊人工微結(jié)構(gòu)材料與技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國工程物理研究院流體物理研究所;西北核技術(shù)研究所強(qiáng)脈沖輻射環(huán)境模擬與效應(yīng)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國家重大科學(xué)儀器設(shè)備開發(fā)專項(xiàng)項(xiàng)目(2011YQ13001902) 國家自然科學(xué)基金(11475128,91022002,11375129)~~
【分類號】：O734
【正文快照】： 安710024)(1.Shanghai Key Laboratory of Special Artificial Microstructure MaterialTechnology,School of Physics Science and Engi-neering,Tongji University,Shanghai 200092,China;2.Institute of Fluid Physics,China Academy of Engineering Physics,Mianyang 621

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本文編號：1470645