本文關(guān)鍵詞：808nm半導(dǎo)體激光芯片電光轉(zhuǎn)換效率的溫度特性機理研究　出處：《物理學(xué)報》2017年10期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：提高808 nm大功率半導(dǎo)體激光器電光轉(zhuǎn)換效率具有重要的學(xué)術(shù)意義和商業(yè)價值,是實現(xiàn)器件小型化、輕量化、高可靠性的必要前提.本文以腔長1.5 mm的傳導(dǎo)冷卻封裝808 nm半導(dǎo)體激光陣列為研究對象,在熱沉溫度-40—25?C范圍內(nèi)對其進(jìn)行光電特性測試,對不同溫度下電光轉(zhuǎn)換效率的影響因子進(jìn)行了實驗研究和理論分析.結(jié)果表明:在-40?C環(huán)境溫度下,最高電光轉(zhuǎn)換效率從室溫25?C時的56.7%提高至66.8%,內(nèi)量子效率高達(dá)96.3%,載流子泄漏損耗的占比貢獻(xiàn)由16.6%下降至3.1%.該研究對實現(xiàn)808 nm高效率半導(dǎo)體激光芯片的自主研發(fā)具有重要意義.
[Abstract]:Improving the electro-optic conversion efficiency of 808 nm high power semiconductor laser is of great academic significance and commercial value. It is a miniaturized and lightweight device. In this paper, 808 nm semiconductor laser array with 1.5 mm cavity length conduction cooling package is taken as the research object, and the heat sink temperature is -40-25? In the range of C, the optoelectronic properties were tested, and the influence factors of electro-optic conversion efficiency at different temperatures were studied and theoretically analyzed. The results showed that: -40? At C ambient temperature, the maximum electro-optic conversion efficiency from room temperature to 25? The internal quantum efficiency is as high as 96.3% when 56.7% at C is increased to 66.8. The contribution of carrier leakage loss has been reduced from 16.6% to 3.1. This study is of great significance to the development of 808nm high efficiency semiconductor laser chip.
【作者單位】： 中國科學(xué)院西安光學(xué)精密機械研究所瞬態(tài)光學(xué)與光子技術(shù)國家重點實驗室;中國科學(xué)院大學(xué);西安立芯光電科技有限公司;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號:61504167) 中國科學(xué)院百人計劃(批準(zhǔn)號:Y429941233)資助的課題~~
【分類號】：TN248.4
【正文快照】： 808 nm傳導(dǎo)冷卻型封裝半導(dǎo)體激光器陣列,填1引言充因子24%,在15?C工作溫度條件下,輸出功率達(dá)到55 W,最高電光轉(zhuǎn)換效率71.5%[7],這是目高功率半導(dǎo)體激光器具有體積小、重量輕、效前國際上報道的最高水平;2008年,FBH報道了率高、壽命長等優(yōu)點,在工業(yè)加工[1]、醫(yī)療美容[2]、808 n

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4 ;兵器新品廊[J];兵器知識;2013年11期

5 ;[J];;年期

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本文編號：1423605