本文關(guān)鍵詞：單層GaSe表面Fe原子吸附體系電子自旋性質(zhì)調(diào)控　出處：《物理學(xué)報》2017年16期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：Ⅲ族金屬單硫化物因其優(yōu)越的光電和自旋電子特性而備受關(guān)注,實現(xiàn)對其自旋性質(zhì)的有效調(diào)控是發(fā)展器件應(yīng)用的關(guān)鍵.本文采用密度泛函理論系統(tǒng)地研究了GaSe表面Fe原子吸附體系的幾何構(gòu)型及自旋電子特性.Fe/GaSe體系中Fe吸附原子與最近鄰Ga,Se原子存在較強的軌道耦合效應(yīng),使體系呈現(xiàn)100%自旋極化的半金屬性.其自旋極化貢獻主要來源于Fe-3d電子的轉(zhuǎn)移及Fe-3d,Se-4p和Ga-4p軌道雜化效應(yīng).對于Fe雙原子吸附體系,兩Fe原子之間的自旋局域?qū)е略緩腇e轉(zhuǎn)移至GaSe的自旋極化電荷量減少,從而費米能級附近的單自旋通道轉(zhuǎn)變?yōu)殡p自旋通道,費米能級處的自旋極化率轉(zhuǎn)變?yōu)?.研究結(jié)果揭示了Fe_n/GaSe吸附體系自旋極化特性的形成和轉(zhuǎn)變機制,可為未來二維自旋納米器件的設(shè)計與構(gòu)建提供參考.
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本文編號：1419583