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體全息存儲研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

發(fā)布時間:2018-01-13 06:33

  本文關(guān)鍵詞:體全息存儲研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢 出處:《中國激光》2017年10期  論文類型:期刊論文


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【摘要】:以歷史為引線,綜述了體全息存儲技術(shù)的研究歷史、現(xiàn)狀和未來的發(fā)展趨勢。列舉了體全息存儲原理、特點以及國內(nèi)外體全息存儲的發(fā)展歷程。分別介紹了體全息存儲驅(qū)動器結(jié)構(gòu)、存儲材料、信道處理的關(guān)鍵技術(shù)的現(xiàn)狀,并對相位型及偏振型體全息存儲的最新進展進行了展望。對阻礙體全息存儲實用化的技術(shù)問題進行了分析,認為頁間串擾噪聲、材料散射噪聲、材料收縮是限制存儲密度的3個瓶頸問題,是后續(xù)研究需要重點解決的問題。
[Abstract]:Taking history as the lead, this paper summarizes the research history, present situation and future development trend of volume holographic storage technology, and enumerates the principle of volume holographic storage. The characteristics and development of volume holographic storage at home and abroad are introduced. The structure of volume holographic memory driver, storage materials and key technologies of channel processing are introduced respectively. The latest development of phase and polarization volume holographic storage is prospected. The technical problems that hinder the practical application of volume holographic storage are analyzed. The cross-page crosstalk noise and material scattering noise are considered. Material shrinkage is one of the three bottleneck problems that limit storage density, and it is the key problem to be solved in the following research.
【作者單位】: 試驗物理與計算數(shù)學國家重點實驗室;北京航天長征飛行器研究所;北京理工大學光電學院;
【基金】:國家自然科學基金(61475019)
【分類號】:O438.1;TP333
【正文快照】: 科技的發(fā)展正將人類從信息技術(shù)(IT)時代帶入數(shù)據(jù)技術(shù)(DT)時代。據(jù)美國國際數(shù)據(jù)公司(IDC)統(tǒng)計,未來幾年全球數(shù)據(jù)量將每兩年翻一番,在2020年將達到40ZB(Zetta Bytes,1021)[1],用1TB(Tera Bytes,1012)容量的硬盤來保存這些數(shù)據(jù)需要400多億張。海量數(shù)據(jù)的存儲與維護成本將會越來越

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3 宋偉;陶世荃;;正交位相編碼參考光位移復(fù)用全息存儲基礎(chǔ)研究[A];中國光學學會2011年學術(shù)大會摘要集[C];2011年

4 馬曉蘇;王津楠;何慶聲;金國藩;鄔敏賢;;等衍射效率DSSM體全息存儲的時序研究[A];大珩先生九十華誕文集暨中國光學學會2004年學術(shù)大會論文集[C];2004年

5 徐超;冷雪松;張春雷;莫陽;曹良才;;In:Ce:Cu:LiNbO_3晶體藍光雙波長非揮發(fā)全息存儲[A];第七屆中國功能材料及其應(yīng)用學術(shù)會議論文集(第6分冊)[C];2010年

6 鄭威;桂強;徐玉恒;雷清泉;;Mg:Mn:Fe:LiNbO_3晶體全息存儲性能研究[A];《硅酸鹽學報》創(chuàng)刊50周年暨中國硅酸鹽學會2007年學術(shù)年會論文摘要集[C];2007年

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10 劉曉頎;基于鈮酸鋰晶體的全息存儲理論及實驗研究[D];哈爾濱工程大學;2008年

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