本文關(guān)鍵詞：直邊衍射駐波場中鉻原子三維沉積特性分析　出處：《光學(xué)學(xué)報(bào)》2017年06期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：利用近共振激光駐波場操縱中性原子實(shí)現(xiàn)納米級條紋沉積是一種新型的研制納米結(jié)構(gòu)長度標(biāo)準(zhǔn)傳遞方法。在會聚原子過程中,由于沉積基片的存在,激光駐波場內(nèi)會產(chǎn)生直邊衍射現(xiàn)象,從而影響原子的運(yùn)動軌跡及沉積光柵。建立了直邊衍射擾動下激光駐波場模型,通過四階龍格-庫塔法,對鉻原子的三維運(yùn)動軌跡及沉積效果進(jìn)行仿真�？紤]到激光功率與失諧量的影響,從半峰全寬(FWHM)和對比度入手,對鉻原子運(yùn)動軌跡及沉積條紋特性進(jìn)行分析。結(jié)果表明,當(dāng)激光功率為3.93mW,失諧量為200 MHz時(shí),原子沉積光柵的FWHM為6.043nm,對比度為0.863,原子沉積光柵的質(zhì)量最佳。與經(jīng)典模型相比,該模型考慮了駐波場中直邊衍射的影響,所得模擬結(jié)果更接近實(shí)際,對實(shí)驗(yàn)有理論指導(dǎo)意義。
[Abstract]:The use of near resonant laser standing wave field manipulation of neutral atoms realize nano stripe deposition is a new type of nano fabrication length standard transfer method. In the process of focused atomic deposition substrate, due to the existence of the laser standing wave will produce straight edge diffraction, thus affecting the trajectory and deposition of atoms. Straight edge diffraction grating disturbance under laser standing wave field model was established by the four order Runge Kutta method, the simulation of 3D motion trajectory and deposition effect of chromium atoms. Considering the influence of laser power and detuning, the full width at half maximum (FWHM) and the contrast of the chromium atom trajectory and sedimentary characteristics of stripe the analysis results showed that when the laser power is 3.93mW, the detuning is 200 MHz, the grating atom deposition FWHM is 6.043nm, the contrast is 0.863, the best quality of grating atomic deposition. Compared with the classical model, this model Considering the influence of standing wave field of straight edge diffraction, the simulation results are closer to the reality and theoretical guidance for the experiment.

【作者單位】： 桂林電子科技大學(xué)電子工程與自動化學(xué)院;廣西高校光電信息處理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(61565004) 廣西自然科學(xué)基金(2013GXNSFDA019002,2014GXNSFGA118003) 桂林市科學(xué)研究與技術(shù)開發(fā)課題(20140127-1,20150133-3)
【分類號】：TN249;TN25
【正文快照】： 0614004-1guidance to the experiment.納米技術(shù)是目前研究廣泛、發(fā)展迅速的一門科學(xué)技術(shù),其目的是研究、發(fā)展和加工結(jié)構(gòu)尺寸小于100nm的材料、裝置和系統(tǒng),以獲得所需要的功能和性能[1]。在納米計(jì)量過程中,受工作原理、測量環(huán)境等因素的影響,測量結(jié)果可能會截然不同。因此,研

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級參考文獻(xiàn)】

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【相似文獻(xiàn)】

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