發(fā)布時(shí)間：2018-01-03 03:41

  本文關(guān)鍵詞：As壓調(diào)制的InAlAs超晶格對(duì)InAs納米結(jié)構(gòu)光學(xué)特性的影響　出處：《西南大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)》2017年03期 　論文類(lèi)型：期刊論文

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【摘要】：利用固源分子束外延(MBE)設(shè)備生長(zhǎng)出InAs/InAlAs/InP(001)納米結(jié)構(gòu)材料,探討了As壓調(diào)制的InAlAs超晶格對(duì)InAs納米結(jié)構(gòu)光學(xué)特性的影響.結(jié)果表明,As壓調(diào)制的InAlAs超晶格能有效地調(diào)整InAs納米結(jié)構(gòu)的形貌特性、發(fā)光峰位,改善發(fā)光線(xiàn)寬,提高輻射效率,從而有利于其在長(zhǎng)波長(zhǎng)光電器件方面的應(yīng)用.
[Abstract]:InAs- / InAlAs-InPn001) nanostructured materials were grown by solid source molecular beam epitaxy (MBE) equipment. The effects of as modulated InAlAs superlattices on the optical properties of InAs nanostructures were investigated. As modulated InAlAs superlattice can effectively adjust the morphology of InAs nanostructures, luminescence peak position, improve the luminescence linewidth, improve the radiation efficiency. It is beneficial to its application in long wavelength optoelectronic devices.
【作者單位】： 邯鄲學(xué)院機(jī)電學(xué)院;中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;西南大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(60990315) 國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展規(guī)劃項(xiàng)目(2006CB604904) 河北省科學(xué)技術(shù)研究與發(fā)展指導(dǎo)項(xiàng)目(Z2010112) 河北省科技支撐計(jì)劃項(xiàng)目(10213936;10213938) 邯鄲學(xué)院博士科研啟動(dòng)經(jīng)費(fèi)項(xiàng)目(2009002)
【分類(lèi)號(hào)】：O47
【正文快照】： 1.3~1.55μm波段對(duì)應(yīng)著石英玻璃光纖的低色散低損耗窗口,這一波段的激光器和探測(cè)器是光纖通訊系統(tǒng)最核心的光電子器件.而目前光纖通訊中使用的1.55μm光電子器件仍主要為InGaAsP/InP量子阱激光器,由于InGaAsP/InP的導(dǎo)帶帶階小,使其器件溫度特性較差,為改善其溫度特性所需的工

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1 顧溢;王凱;李成;方祥;曹遠(yuǎn)迎;張永剛;;采用InGaAs或InAlAs緩沖層的高In組分InGaAs探測(cè)器結(jié)構(gòu)材料特性(英文)[J];紅外與毫米波學(xué)報(bào);2011年06期

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本文編號(hào)：1372234