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高Q平面集成光波導諧振腔

發(fā)布時間:2017-12-31 04:27

  本文關鍵詞:高Q平面集成光波導諧振腔 出處:《微納電子技術》2017年05期  論文類型:期刊論文


  更多相關文章: 回音壁模式(WGM) 諧振腔 硅基二氧化硅 品質因數 光波導


【摘要】:提出了一種高品質因數的氧化硅平面集成光波導諧振腔的設計與加工方案。利用Matlab與BeamPROP軟件對回音壁模式(WGM)諧振腔結構模型進行了仿真分析,深入討論了耦合狀態(tài)、腔長與諧振腔品質因數的關系。設計了直徑6 cm的環(huán)形光波導諧振腔,直波導與環(huán)形腔的耦合率為3.3%。整個諧振腔耦合結構被設計為欠耦合狀態(tài)來優(yōu)化其品質因數。在此基礎上,在硅襯底上采用等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)技術和紫外光刻技術制作出二氧化硅光波導諧振腔芯片,芯片尺寸為7 cm×7 cm。利用一個波長為1 550 nm可調諧激光器對諧振腔的光譜進行了測試,測試結果表明所加工出的氧化硅光波導諧振腔的品質因數高達4.3×107。
[Abstract]:A design and fabrication scheme of a high quality silicon oxide planar integrated optical waveguide resonator is presented. The echo wall mode is fabricated by Matlab and BeamPROP software. The resonator structure model is simulated and analyzed. The relationship between the coupling state, the cavity length and the quality factor of the resonator is discussed, and the ring optical waveguide resonator with a diameter of 6 cm is designed. The coupling rate between the straight waveguide and the ring resonator is 3.3. The whole resonator coupling structure is designed as an undercoupling state to optimize its quality factor. A silicon dioxide optical waveguide resonator chip was fabricated by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and UV lithography on silicon substrate. The size of the chip is 7 cm 脳 7 cm. The spectrum of the resonator is measured by a wavelength tunable laser of 1 550 nm. The test results show that the quality factor of the fabricated silicon oxide waveguide resonator is as high as 4.3 脳 107.
【作者單位】: 中北大學儀器科學與動態(tài)測試教育部重點實驗室;
【基金】:國家自然科學基金資助項目(51225504,61571406,51635011)
【分類號】:TN252
【正文快照】: 0引言回音壁模式(whispering-gallery mode,WGM)光學諧振腔利用光在介質表面的全反射特性,具有高品質因數、小體積與易集成等優(yōu)點,近年來在光通信[1]、光電異質集成[2]與高靈敏度光學傳感[3]等領域受到了廣泛關注。目前,研究人員已研制出基于回音壁模式諧振腔的濾波器、光學調

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