本文關(guān)鍵詞：HMDSO添加對大氣壓Ar等離子體射流陣列放電特性的影響　出處：《高電壓技術(shù)》2017年06期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： 等離子體射流 射流陣列 含硅成分 憎水性 放電特性

【摘要】：大氣壓等離子體射流陣列是適合大面積復(fù)雜材料表面處理的等離子體形式。針對材料表面處理對大面積等離子體源的需求,在實現(xiàn)大氣壓一維Ar等離子體射流陣列的基礎(chǔ)上,在工作氣體中添加六甲基二硅醚(HMDSO)來獲得含憎水性成分的射流陣列放電,利用電學(xué)和光學(xué)的診斷方法診斷射流陣列的放電特性,并研究了外加電壓幅值和HMDSO體積分?jǐn)?shù)變化對射流陣列放電均勻性、放電功率、傳輸電荷和主要活性粒子的影響,進(jìn)而優(yōu)化了大氣壓Ar等離子體射流陣列的工作條件,為射流陣列憎水改性應(yīng)用提供參考。結(jié)果表明:隨著HMDSO體積分?jǐn)?shù)增加,放電電流脈沖幅值、每半周期的脈沖個數(shù)、放電功率以及傳輸電荷均下降,放電耦合排斥作用被抑制,放電均勻性有所加強(qiáng);除了Si譜線,放電產(chǎn)生的主要粒子譜線強(qiáng)度均隨HMDSO體積分?jǐn)?shù)的增加而減小;Si譜線隨著HMDSO體積分?jǐn)?shù)提高先增大后減小,在HMDSO體積分?jǐn)?shù)為0.02%時,Si譜線強(qiáng)度出現(xiàn)極大值,因此工作于該條件下的Ar/HMDSO等離子體射流陣列應(yīng)用于材料的表面憎水改性,有望獲得良好效果。
[Abstract]:......
【作者單位】： 南京工業(yè)大學(xué)電氣工程與控制科學(xué)學(xué)院;國網(wǎng)江蘇省電力公司徐州供電公司;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(51377075;51677083) 江蘇省“六大人才高峰”項目 (2014-XNY-006)~~
【分類號】：O53
【正文快照】： Effect of HMDSO Addition on Discharge Characteristics of Atmospheric PressurePlasma Jet Array in ArgonFANG Zhi1,ZHANG Bo1,ZHOU Ruoyu1,HAO Lili1,HOU Yongquan2(1.College of Electrical Engineering and Control Science,Nanjing Tech University,Nanjing 211816,C

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