硅基片上刻蝕衍射光柵及其平坦化設計
發(fā)布時間:2017-12-30 06:21
本文關鍵詞:硅基片上刻蝕衍射光柵及其平坦化設計 出處:《激光技術》2017年03期 論文類型:期刊論文
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【摘要】:刻蝕衍射光柵(EDG)作為實現(xiàn)波分復用功能的關鍵器件,對于片上光互連的實現(xiàn)至關重要。為了實現(xiàn)1310nm波段通道間隔為20nm的硅基EDG,采用了基爾霍夫標量衍射理論仿真方法進行理論設計和仿真驗證,通過在閃耀光柵反射面引入布喇格反射光柵來提高反射效率、降低器件插入損耗,并在入射波導處引入多模干涉耦合器以實現(xiàn)通道頻譜平坦化設計。結果表明,閃耀光柵反射面的反射效率由35%提高到了85%,1d B帶寬達到12nm。這對于提高系統(tǒng)穩(wěn)定性、增大傳輸距離和容量、降低系統(tǒng)成本具有顯著作用,能夠滿足光互連系統(tǒng)的實際應用需求。
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【作者單位】: 中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所信息功能材料國家重點實驗室;中國科學院大學;
【基金】:國家自然科學基金資助項目(61275112;61475180;11204340) 上海市自然科學基金重點資助項目(14JC1407600);上海市自然科學基金資助項目(16ZR1442600)
【分類號】:TN256
【正文快照】: 100049)引言隨著多核計算時代的來臨,人們對信息處理、傳輸速度的要求不斷提高,電互連技術由于串擾、延遲和功耗等缺陷成為系統(tǒng)發(fā)展的瓶頸。采用光互連取代電互連可以有效解決這一難題[1]。在光互連的具體實施方案中,硅基光互連以其無可比擬的成本和技術優(yōu)勢成為首選,既能發(fā)揮
【參考文獻】
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1 安俊明;張家順;王s,
本文編號:1353716
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