本文關(guān)鍵詞：鉬摻雜氧化鋅薄膜的制備及其性能研究　出處：《中南民族大學學報(自然科學版)》2017年02期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：采用摻氧化鉬(MoO_3)的氧化鋅(ZnO)陶瓷靶作為濺射源材料,利用磁控濺射工藝制備了鉬摻雜氧化鋅(MZO)透明導電氧化物(TCO)薄膜,通過X-射線衍射儀(XRD)、光分光光度計和四探針儀進行了測試表征,研究了濺射功率對MZO薄膜結(jié)構(gòu)、光學和電學性能的影響.結(jié)果表明:所沉積的MZO薄膜樣品均為六角纖鋅礦結(jié)構(gòu),并具有(002)擇優(yōu)取向生長特性,濺射功率對薄膜結(jié)構(gòu)和光電性能具有不同程度的影響.當濺射功率為120 W時,MZO薄膜的可見光區(qū)平均透過率最高、電阻率最低、性能指數(shù)最大,具有最好的光電綜合性能.
[Abstract]:The doped molybdenum oxide (MoO_3) Zinc Oxide (ZnO) ceramic target as sputtering source material, Molybdenum Doped Zinc Oxide prepared by magnetron sputtering process (MZO) transparent conductive oxide (TCO) films by X- ray diffraction (XRD), spectrophotometer and four probe into the characterization, study on the influence of sputtering power on the structure of MZO thin films, optical and electrical properties. The results show that MZO thin films deposited by all six corners of wurtzite structure with (002) preferred orientation growth characteristics, the sputtering power has different influence on the film structure and photoelectric properties. When the sputtering power is 120 W when MZO thin films in visible region the highest average transmittance, low resistivity, the performance index is the largest, with a best overall performance.
【作者單位】： 中南民族大學實驗教學與實驗室管理中心;中南民族大學電子信息工程學院;
【基金】：湖北省自然科學基金資助項目(2011CDB418) 中南民族大學中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費專項資金資助項目(CZP17002)
【分類號】：O484
【正文快照】： 透明導電氧化物(TCO)薄膜具有獨特的光學和電學性能,已經(jīng)廣泛應用于發(fā)光二極管[1-4]、太陽能電池[5-8]、液晶顯示器[9-12]、薄膜晶體管[13,14]和氣體傳感器[15-17]等光電子領(lǐng)域中,引起了人們越來越多的關(guān)注.氧化鋅(Zn O)是Ⅱ-VI族n型半導體材料,在室溫條件下光學能隙較寬,對可，

本文編號：1342853