本文關鍵詞：等離子體密度對放電等離子體極紫外光源影響研究　出處：《光譜學與光譜分析》2017年08期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：等離子體狀態(tài)是決定極紫外光源功率和轉(zhuǎn)換效率的最重要因素之一,理論和實驗研究上Xe氣流量對放電等離子體極紫外光源輻射譜和等離子體狀態(tài)的影響,對于優(yōu)化光源工作條件具有重要的意義。理論上,采用碰撞-輻射模型,模擬了非局部熱力學平衡條件下,不同電離度的離子豐度分布隨電子溫度和離子密度的變化。推導了Xe8+~Xe11+離子4d-5p躍遷譜線強度隨電子溫度的變化趨勢。實驗上,采用毛細管放電機制,利用羅蘭圓譜儀測量和分析了不同等離子體密度條件下,放電等離子體極紫外光譜的變化,分析了Xe氣流量對等離子體狀態(tài)的影響。理論和實驗結果表明:相同的電流條件下,等離子體箍縮時的平均電子溫度隨著Xe氣流量的增加而降低。對于4d-5p躍遷,低電離度離子與高電離度離子譜線強度的比值隨著溫度的增加而減少。電流28kA、Xe氣流量0.4sccm(cm3·min-1)時,等離子體Z箍縮平均電子溫度位于29eV附近。Xe氣流量增加時,受離子密度和最佳電子溫度的影響,實現(xiàn)Xe10+離子4d-5p躍遷13.5nm(2%帶寬)輻射譜線強度最優(yōu)化的Xe氣流量位于0.3~0.4sccm之間。
【作者單位】： 東北林業(yè)大學理學院;哈爾濱工業(yè)大學可調(diào)諧激光技術國家級重點實驗室;
【基金】：國家自然科學基金項目(61505025) 國家科技重大專項(2008ZX02501-001) 中央高�；究蒲袠I(yè)務費專項(2572015BX09)資助
【分類號】：O53;TN23
【正文快照】： 引言目前,為了10nm及以下特征尺寸的光刻線,常采用極紫外(EUV)光刻技術,其工作波長為13.5nm(2%帶寬)。EUV光刻技術采用此波段范圍的主要原因是,光刻機中的反射鏡為Mo/Si多層反射鏡,其在13.5nm(2%帶寬)波段有很高的反射率(~70%)[1],同時性能穩(wěn)定。實現(xiàn)EUV光源的工作介質(zhì)主要有S

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