等離子體密度對(duì)放電等離子體極紫外光源影響研究
本文關(guān)鍵詞:等離子體密度對(duì)放電等離子體極紫外光源影響研究 出處:《光譜學(xué)與光譜分析》2017年08期 論文類型:期刊論文
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【摘要】:等離子體狀態(tài)是決定極紫外光源功率和轉(zhuǎn)換效率的最重要因素之一,理論和實(shí)驗(yàn)研究上Xe氣流量對(duì)放電等離子體極紫外光源輻射譜和等離子體狀態(tài)的影響,對(duì)于優(yōu)化光源工作條件具有重要的意義。理論上,采用碰撞-輻射模型,模擬了非局部熱力學(xué)平衡條件下,不同電離度的離子豐度分布隨電子溫度和離子密度的變化。推導(dǎo)了Xe8+~Xe11+離子4d-5p躍遷譜線強(qiáng)度隨電子溫度的變化趨勢(shì)。實(shí)驗(yàn)上,采用毛細(xì)管放電機(jī)制,利用羅蘭圓譜儀測量和分析了不同等離子體密度條件下,放電等離子體極紫外光譜的變化,分析了Xe氣流量對(duì)等離子體狀態(tài)的影響。理論和實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:相同的電流條件下,等離子體箍縮時(shí)的平均電子溫度隨著Xe氣流量的增加而降低。對(duì)于4d-5p躍遷,低電離度離子與高電離度離子譜線強(qiáng)度的比值隨著溫度的增加而減少。電流28kA、Xe氣流量0.4sccm(cm3·min-1)時(shí),等離子體Z箍縮平均電子溫度位于29eV附近。Xe氣流量增加時(shí),受離子密度和最佳電子溫度的影響,實(shí)現(xiàn)Xe10+離子4d-5p躍遷13.5nm(2%帶寬)輻射譜線強(qiáng)度最優(yōu)化的Xe氣流量位于0.3~0.4sccm之間。
【作者單位】: 東北林業(yè)大學(xué)理學(xué)院;哈爾濱工業(yè)大學(xué)可調(diào)諧激光技術(shù)國家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】:國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(61505025) 國家科技重大專項(xiàng)(2008ZX02501-001) 中央高校基本科研業(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)(2572015BX09)資助
【分類號(hào)】:O53;TN23
【正文快照】: 引言目前,為了10nm及以下特征尺寸的光刻線,常采用極紫外(EUV)光刻技術(shù),其工作波長為13.5nm(2%帶寬)。EUV光刻技術(shù)采用此波段范圍的主要原因是,光刻機(jī)中的反射鏡為Mo/Si多層反射鏡,其在13.5nm(2%帶寬)波段有很高的反射率(~70%)[1],同時(shí)性能穩(wěn)定。實(shí)現(xiàn)EUV光源的工作介質(zhì)主要有S
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,本文編號(hào):1336724
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