多超導(dǎo)線圈并聯(lián)下的電流分布研究
本文關(guān)鍵詞:多超導(dǎo)線圈并聯(lián)下的電流分布研究 出處:《低溫與超導(dǎo)》2017年06期 論文類型:期刊論文
更多相關(guān)文章: 并聯(lián)線圈 有限元模型 電流分布 接頭電阻 臨界電流
【摘要】:與多超導(dǎo)線圈串聯(lián)相比,多超導(dǎo)線圈并聯(lián)通流的電流分布特性比較復(fù)雜。本文提出一種基于H方程和均質(zhì)化方法的有限元模型,研究了4 YBCO單餅線圈并聯(lián)下的電流分布,并與場(chǎng)路耦合模型對(duì)比。仿真結(jié)果表明,多超導(dǎo)線圈并聯(lián)下的電流分布與各線圈的接頭電阻、等效電感和等效超導(dǎo)電阻有關(guān)。線圈失超之前,各線圈的等效超導(dǎo)電阻幾乎可以忽略,電流分布主要受線圈的接頭電阻和等效電感控制;線圈開始失超后,電流分布主要受等效超導(dǎo)電阻影響,電流會(huì)重新分配,最終各線圈穩(wěn)流值與各線圈的臨界電流有關(guān)。
【作者單位】: 華中科技大學(xué)強(qiáng)電磁工程與新技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室超導(dǎo)中心;
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(合同號(hào):51677080)
【分類號(hào)】:TM26
【正文快照】: 1引言對(duì)于高溫超導(dǎo)磁儲(chǔ)能磁體和高場(chǎng)磁體而言,為獲得較大的儲(chǔ)能量和磁場(chǎng)強(qiáng)度,一般采用多超導(dǎo)線圈串聯(lián)的方式通流[1-2]。但是,對(duì)于超導(dǎo)限流器和超導(dǎo)電抗器等裝置,為獲得較大的通流能力,可能會(huì)采用全部或部分超導(dǎo)線圈并聯(lián)的方式通流[3]。與多超導(dǎo)線圈串聯(lián)相比,并聯(lián)通流時(shí)各線圈
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,本文編號(hào):1332703
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