本文關鍵詞：緩沖層對量子阱二能級系統(tǒng)中電子子帶間躍遷光吸收的影響　出處：《物理學報》2017年07期 　論文類型：期刊論文

  更多相關文章： ZnO緩沖層 ZnO/Mg_xZn_(-x)O量子阱二能級系統(tǒng) 電子子帶間躍遷 三元混晶

【摘要】：由于ZnO緩沖層對纖鋅礦ZnO/Mg_xZn_(1-x)O有限深單量子阱結構左壘的限制作用,導致阱和右壘的尺寸、Mg組分值等因素將影響系統(tǒng)中形成二能級.本文考慮內建電場、導帶彎曲及材料摻雜對實際異質結勢的影響,利用有限差分法數(shù)值求解Schr?dinger方程,獲得電子的本征能級和波函數(shù),探討ZnO緩沖層對此類量子阱形成二能級系統(tǒng)的尺寸效應及三元混晶效應的影響;利用費米黃金法則探討緩沖層、左壘、阱及右壘寬度和三元混晶效應對此類量子阱電子子帶間躍遷光吸收的影響.計算結果顯示:對于加入ZnO緩沖層的ZnO/Mg_xZn_(1-x)O有限深單量子阱二能級系統(tǒng),左壘寬度臨界值會隨著阱寬和Mg組分值的增大而逐漸減小,隨著右壘寬度和緩沖層厚度的增大而逐漸增大;量子阱中電子子帶間躍遷光吸收峰會隨著左壘、右壘尺寸以及Mg組分的增大發(fā)生藍移,隨著阱寬增大而發(fā)生紅移.本文所得結果可為改善異質結器件的光電性能提供理論指導.
【作者單位】： 內蒙古大學物理科學與技術學院;
【基金】：國家自然科學基金(批準號:61274098,11304142)資助的課題~~
【分類號】：O471.1
【正文快照】： 1引言近年來,應變纖鋅礦半導體及其低維結構材料廣泛應用于現(xiàn)代照明和太赫茲通信領域,成為制備新一代電子和光電子器件的重要材料.纖鋅礦半導體材料Zn O和Mg O的禁帶寬度分別為3.37[1]和7.8 eV[2],由于Zn離子和Mg離子的晶格常數(shù)非常接近[3],通常在Zn O材料中摻雜Mg制成三元混

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