本文關(guān)鍵詞：硅基Ⅲ-Ⅴ族納米線及其若干半導(dǎo)體器件　出處：《半導(dǎo)體技術(shù)》2017年06期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：綜述了硅基Ⅲ-Ⅴ族納米線與異質(zhì)結(jié)制備技術(shù)的研究進(jìn)展。針對基于Ⅲ-Ⅴ族納米線的半導(dǎo)體器件,重點(diǎn)介紹了硅基Ⅲ-Ⅴ族納米線場效應(yīng)晶體管的研究現(xiàn)狀,詳細(xì)介紹了硅基Ⅲ-Ⅴ族納米線場效應(yīng)晶體管和隧穿場效應(yīng)晶體管的制備流程、工藝技術(shù)和器件的電學(xué)性能,并對影響器件電學(xué)性能的因素進(jìn)行了分析。概括介紹了硅基Ⅲ-Ⅴ族納米線激光器和硅基Ⅲ-Ⅴ族納米線太陽電池的研究成果,基于硅襯底的Ⅲ-Ⅴ族納米線太陽電池為低成本、高效能的太陽電池領(lǐng)域開辟了新途徑。研究結(jié)果表明,采用硅基Ⅲ-Ⅴ族納米線制備的場效應(yīng)晶體管、激光器及太陽電池等半導(dǎo)體器件相對于Si,Ge等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料制備的器件有著巨大的優(yōu)勢,在未來集成電路技術(shù)中具有越來越大的影響力。
【作者單位】： 中國科學(xué)院微電子研究所微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗室;中國科學(xué)院大學(xué);
【基金】：中國科學(xué)院微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗室開放課題支持項目
【分類號】：TM914.4;TN248;TN386
【正文快照】： 0引言近幾十年以來,集成電路技術(shù)與產(chǎn)品基本遵循摩爾定律不斷深入發(fā)展,通過縮小器件特征尺寸以提高集成度,向著小型化、高速和高集成度方向飛速前進(jìn),目前已經(jīng)進(jìn)入了14 nm工藝時代。然而,伴隨集成度的不斷提高,單位面積上晶體管數(shù)量急劇增加導(dǎo)致了功耗的急劇增大以及器件性能的

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