本文關(guān)鍵詞：GaAs光生載流子動(dòng)力學(xué)機(jī)制的超快光譜學(xué)分析　出處：《光子學(xué)報(bào)》2017年08期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：利用飛秒激光泵浦探測(cè)技術(shù),通過(guò)改變光學(xué)參數(shù),如中心波長(zhǎng)、功率,分別對(duì)未故意摻雜高純n型砷化鎵的差分反射譜進(jìn)行研究,進(jìn)而分析室溫下砷化鎵光生載流子動(dòng)力學(xué)過(guò)程.首先,當(dāng)泵浦光功率恒為100mW,探測(cè)光功率恒為10mW時(shí),隨著中心波長(zhǎng)的增大,差分反射率峰值隨之增大,信噪比也隨之增加.其次,通過(guò)擬合不同延遲時(shí)間下泵浦光功率和差分反射率的實(shí)驗(yàn)曲線,并和理論模型比較后發(fā)現(xiàn),在一定范圍內(nèi)的泵浦功率和差分反射率呈線性相關(guān),未故意摻雜高純n型砷化鎵的飽和載流子濃度為(3.590 1±0.310 3)×1017 cm~(-3).在此基礎(chǔ)上,把光生載流子動(dòng)力學(xué)過(guò)程分為3個(gè)過(guò)程:804±67fs的光激發(fā)過(guò)程、134~268fs的初始散射過(guò)程、1ps和3~6ps的復(fù)合過(guò)程.研究表明,差分反射率與探測(cè)功率不存在顯著的依賴性,但差分反射譜的信噪比與探測(cè)功率存在相關(guān)性.
【作者單位】： 西北大學(xué)光子學(xué)與光子技術(shù)研究所/光電技術(shù)與功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(No.61378040)資助~~
【分類號(hào)】：O433.4
【正文快照】： 1-1002380Dynamics;Carrier lifetimeOCIS Codes:320.2250;320.7090;320.7150;140.7090;300.65300引言砷化鎵(GaAs)是常見(jiàn)的Ⅲ-Ⅴ族化合物,與硅、鍺等傳統(tǒng)半導(dǎo)體相比,GaAs半導(dǎo)體的直接帶隙特性和較高的光吸收系數(shù),使其更容易吸收和發(fā)射光子,而且GaAs在不同條件下多變的光電學(xué)

【相似文獻(xiàn)】

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1 彭景翠，，陳小華，曾健平;聚丁二炔晶體中的光生載流子及光導(dǎo)[J];湖南大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);1996年03期

2 邱勇,楊延強(qiáng),楊慶鑫,王長(zhǎng)順,孫桂娟,魏振乾,費(fèi)浩生;Q有機(jī)聚合物材料中光生載流子傳輸?shù)奶S輸運(yùn)[J];光子學(xué)報(bào);2001年09期

3 彭景翠;含有共軛三鍵共聚物中光生載流子產(chǎn)生機(jī)制的探討[J];物理學(xué)報(bào);1993年01期

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條

1 韓曉霞;納米碳化硅光生載流子衰減特性研究[D];河北大學(xué);2006年

本文編號(hào)：1313178