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純介質(zhì)光子晶體非線性效應研究進展

發(fā)布時間:2017-12-20 15:23

  本文關鍵詞:純介質(zhì)光子晶體非線性效應研究進展 出處:《光電工程》2017年03期  論文類型:期刊論文


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【摘要】:如何在低閾值小尺度(毫瓦或皮焦量級、微米以下)情況下激發(fā)非線性光學效應是近年來光學領域研究的重要課題。該研究最直接的應用需求就是光子集成芯片,這是未來實現(xiàn)超高速、大容量信息網(wǎng)絡體系的基礎。光子晶體具有類似于半導體能帶的光子禁帶(PBG),被譽為"光子半導體",為人們提供了一種新穎而又實用的操縱光子的物理手段,使低閾值、可集成非線性效應產(chǎn)生成為可能。越來越多的非線性效應在光子晶體中已經(jīng)被發(fā)現(xiàn),例如光子晶體慢光、帶隙孤子、電磁感應透明、二次諧波產(chǎn)生、光學雙穩(wěn)態(tài)等,本文將著重對可用于光子集成器件開發(fā)的光子晶體非線性效應研究領域的一些主要成果和進展進行總結(jié),介紹其相關應用并對光子晶體非線性效應研究作出展望。
【作者單位】: 光電材料科學與技術安徽省重點實驗室;安徽師范大學物理與電子信息學院;滁州學院電子與電氣學院;
【基金】:安徽省自然科學基金面上項目(1708085MF149);安徽省自然科學基金青年項目(1708085QB31) 國家自然科學基金青年項目(11605019)
【分類號】:O734
【正文快照】: 光子集成器件(芯片)是超高速、大容量全光信息網(wǎng)絡建設的基礎,而低閾值(毫瓦或皮焦量級)、小尺度(微米以下)情況下非線性效應的產(chǎn)生是光子集成器件開發(fā)必須要解決的一個問題。然而,通常情況下介質(zhì)中的非線性光學效應非常弱,只有在強光作用下才能激發(fā),這也是為什么非線性光學在

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本文編號:1312587

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