左手材料對諧振腔內(nèi)部電磁場分布的影響
發(fā)布時間:2017-12-20 10:06
本文關(guān)鍵詞:左手材料對諧振腔內(nèi)部電磁場分布的影響 出處:《功能材料》2017年10期 論文類型:期刊論文
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【摘要】:在諧振腔的設(shè)計過程中,由于填充介質(zhì)引起的損耗以及模式干擾導致諧振腔內(nèi)部電磁場分布的優(yōu)化受到限制,因而使得設(shè)計高品質(zhì)因數(shù)的諧振腔變得困難。根據(jù)"左手材料"的特殊性質(zhì),運用電動力學理論對諧振腔內(nèi)部電磁場分布進行計算研究,通過high frequency structure simulator(簡稱HFSS)仿真軟件對諧振腔內(nèi)的場分布進行模擬。計算結(jié)果顯示,左手材料的填充可以改善諧振腔內(nèi)部電磁場的分布。相對于傳統(tǒng)材料而言,左手材料的填充可以使諧振腔內(nèi)部中心部位的電磁場分布集中、電磁場強度增加,其中,電場強度可達到3.5009×10-1 V/m,比真空情況提高了13%,比填充空氣時提高了4%;磁場強度可達到5.8722×10-3 A/m,比真空時提高了156%,比填充空氣時提高了134%,高頻仿真器的仿真數(shù)據(jù)與以上結(jié)果相吻合。該方法克服了傳統(tǒng)材料對諧振腔內(nèi)電磁場分布優(yōu)化的局限性,為設(shè)計新型的諧振腔提供了一定的理論指導作用。
【作者單位】: 天津工業(yè)大學理學院;
【基金】:國家自然科學基金資助項目(61271011) 天津市自然科學基金資助項目(14JCYBJC17100)
【分類號】:O441
【正文快照】: 0引言從1968年,物理學家Veselago首次提出“左手材料”以來,“左手材料”的制作和應(yīng)用一直受到科學家的重點關(guān)注.“左手材料”是相對于傳統(tǒng)材料而言,與傳統(tǒng)材料的性質(zhì)相悖的另外一種材料,其磁導率μ和相對介電常數(shù)ε均為負值[1-2],具有負相速度、負折射率、理想成像等物理性質(zhì)
【相似文獻】
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1 王之江 ,方洪烈;直角z鏡諧振腔的共振模[J];物理學報;1975年06期
2 趙恩起;超導諧振腔[J];低溫與超導;1977年01期
3 陳鈺清;環(huán)形光學諧振腔和折迭式諧振腔的矩陣解[J];激光;1978年Z1期
4 薛良金 ,z俏謀,
本文編號:1311684
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