本文關(guān)鍵詞：ZnO中氧空位缺陷形成能的第一性原理研究　出處：《廈門大學學報(自然科學版)》2017年04期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：采用基于密度泛函理論的第一性原理方法,研究了ZnO在富氧和富鋅條件下氧的單空位、雙空位和三空位缺陷的形成能.結(jié)果表明:在富氧和富鋅條件下,隨著氧空位濃度的增加,氧空位形成能變大,說明ZnO中不容易產(chǎn)生多空位氧缺陷;隨著氧空位濃度的增加,氧空位對應的吸收光譜紅移;分散型氧雙空位的形成能低于聚集型氧雙空位,說明ZnO中不容易產(chǎn)生氧空位聚集,由此可解釋ZnO的抗輻照能力;在富鋅條件下,聚集型氧雙空位的形成能大于分散型氧三空位的形成能,說明在此條件下聚集型氧雙空位更難形成.
【作者單位】： 閩南師范大學物理與信息工程學院;廈門大學物理科學與技術(shù)學院;
【基金】：國家自然科學基金重點項目(21233004) 福建省教育廳A類科技項目(JA13206)
【分類號】：O471
【正文快照】： ZnO是直接帶隙的半導體材料,在常溫常壓下,晶體結(jié)構(gòu)為六角纖鋅礦結(jié)構(gòu),禁帶寬度為3.4eV,自由激子束縛能為60meV.ZnO在透明電極[1]、氣敏傳感器[2]、太陽能電池[3]、納米發(fā)電機[4]等領(lǐng)域都有廣泛的應用.與GaN材料相比,ZnO本身無毒,其高質(zhì)量晶體比較容易獲得,激子束縛能比較大,在

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