本文關(guān)鍵詞：基于低相干光的光子晶體光纖熔點背向反射測量

  更多相關(guān)文章： 光子晶體光纖(PCF) 斜切熔接 背向反射 低相干光 干涉測量

【摘要】：光子晶體光纖(PCF)與傳統(tǒng)單模光纖熔接時斜切熔接可以大大減小熔點處反射,但是仍然存在微弱的殘余背向反射,為了精確測量該殘余背向反射大小,本文基于低相干光干涉測量原理提出了一種Mach-Zehnder與Michelson混合型干涉儀�；谠摳缮鎯x,對包層直徑125μm實芯光子晶體光纖與傳統(tǒng)單模光纖斜8°熔點,以及包層直徑100μm實芯光子晶體光纖與傳統(tǒng)單模光纖斜8°熔點處的背向反射進(jìn)行了測量,得到背向反射率分別為-52.12 d B和-49.35 d B,并獲得了熔點的位置信息。該干涉儀為光子晶體光纖斜切熔點殘余背向反射的精確定位和測量提供了工具和手段,為熔點質(zhì)量的改善奠定了基礎(chǔ)。
【作者單位】： 北京航空航天大學(xué)儀器科學(xué)與光電工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(61575012,61575013)~~
【分類號】：TN253
【正文快照】： 網(wǎng)絡(luò)出版地址:www.cnki.net/kcms/detail/11.2625.V.20161018.1137.002.html引用格式:徐小斌,閆明,滕飛,等.基于低相干光的光子晶體光纖熔點背向反射測量[J].北京航空航天大學(xué)學(xué)報,2017,43(7):1300-1305.XU X B,YAN M,TENG F,et al.Measurement for back-reflection of photon

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本文編號：1297122