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Zn摻雜纖鋅礦CdSe電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究

發(fā)布時(shí)間:2017-12-15 19:28

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【摘要】:采用密度泛函理論中的廣義梯度近似平面波超軟贗勢(shì)方法,計(jì)算研究了不同濃度Zn原子摻雜纖鋅礦結(jié)構(gòu)CdSe的電子與光學(xué)性質(zhì)。結(jié)果顯示:隨著Zn摻雜濃度的升高,纖鋅礦Cd1-xZnxSe的體積在減小,形成能降低,摻雜越容易,穩(wěn)定性變高;Zn摻雜引起導(dǎo)帶底向高能方向移動(dòng),禁帶寬度逐漸增加;摻雜后形成的Zn-Se鍵具有更大的密立根重疊布居數(shù),表現(xiàn)出更強(qiáng)的共價(jià)性;體系的直接帶隙寬度增加,導(dǎo)致光電子躍遷峰向高能方向發(fā)生藍(lán)移;在紫外光區(qū)9.75 e V左右,摻雜體系的吸收強(qiáng)度達(dá)到最大,能量損失最小。
【作者單位】: 西華師范大學(xué)物理與空間科學(xué)學(xué)院;南京理工大學(xué)電子工程與光電技術(shù)學(xué)院;
【基金】:教育部春暉計(jì)劃(Z2016122) 四川省科技廳應(yīng)用基礎(chǔ)項(xiàng)目(2014JY0133)
【分類號(hào)】:O469
【正文快照】: First-principles Study on Electronic Structure and OpticalProperties of Zn-doped Wurtzite Cd SeWANG Fei-yu1,ZENG Ti-xian1,AN Xin-You1,2,YANG Hui1,ZHANG Min1,CHEN Tai-hong1,SONG Ting-ting1(1.College of Physics and Space Science,China West Normal Universit

【相似文獻(xiàn)】

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中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前3條

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中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

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2 羅強(qiáng);CdSe和HgTe團(tuán)簇結(jié)構(gòu)與電子性質(zhì)的理論研究[D];重慶大學(xué);2005年

3 張大勇;CdSe半導(dǎo)體量子點(diǎn)薄膜及光伏器件中激子動(dòng)力學(xué)過程的研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2013年

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9 雷迅;纖鋅礦GaN和BN電子能帶結(jié)構(gòu)和聲子色散性質(zhì)的第一性原理研究[D];內(nèi)蒙古大學(xué);2014年

10 胡界博;Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的制備與表征[D];河南大學(xué);2005年

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本文編號(hào):1293160

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