本文關(guān)鍵詞：新型稀磁半導(dǎo)體Mn摻雜LiZnP的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)

  更多相關(guān)文章： Mn摻LiZnP 電子結(jié)構(gòu) 光學(xué)性質(zhì) 第一性原理計(jì)算

【摘要】：采用基于密度泛函理論的第一性原理計(jì)算方法,對(duì)純LiZnP、Mn摻雜LiZnP、Li過量和不足時(shí)Mn摻雜LiZnP體系進(jìn)行了幾何結(jié)構(gòu)優(yōu)化,計(jì)算并分析了體系的電子結(jié)構(gòu)、半金屬性、態(tài)密度及光學(xué)性質(zhì).結(jié)果表明:LiZnP新型稀磁半導(dǎo)體可以實(shí)現(xiàn)自旋和電荷注入機(jī)制的分離.Mn的摻入使體系產(chǎn)生自旋極化雜質(zhì)帶,自旋極化率達(dá)到100%,表現(xiàn)出半金屬鐵磁性,且體系性質(zhì)受Li計(jì)量數(shù)的影響.當(dāng)Li不足時(shí)雜質(zhì)帶寬度增大,半金屬性增強(qiáng),居里溫度提高,形成能最低.進(jìn)一步比較光學(xué)性質(zhì)發(fā)現(xiàn):Mn摻入后體系光學(xué)性質(zhì)沒有明顯變化,但隨Li的化學(xué)計(jì)量數(shù)的改變,介電函數(shù)虛部會(huì)在低能區(qū)中出現(xiàn)新的介電峰,同時(shí)復(fù)折射率函數(shù)對(duì)低頻電磁波吸收明顯加強(qiáng),且能量損失在Li過量時(shí)最小.
【作者單位】： 重慶師范大學(xué)物理與電子工程學(xué)院光電功能材料重慶市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;重慶科技學(xué)院微納復(fù)合材料與器件重慶市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：重慶市基礎(chǔ)與前沿研究計(jì)劃項(xiàng)目(cstc2014jcyj A50005) 重慶師范大學(xué)教育名師培育計(jì)劃項(xiàng)目(02030307-00031) 重慶科技學(xué)院院士專家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室合作項(xiàng)目(CQKL-1505) 國家創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)訓(xùn)練計(jì)劃項(xiàng)目(201510637017)
【分類號(hào)】：O469;O472
【正文快照】： (1.Chongqing Key Laboratory of Photoelectric Functional Materials,College of Physics and Electronic Engineering,Chongqing Normal University,Chongqing 401331,China;2.Chongqing Key Laboratory of Nano/Micro Composite Materials and Devices,Chongqing Universi

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本文編號(hào)：1285934